WWW.NAUKA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, издания, публикации
 


Pages:     | 1 | 2 ||

«11 декабря 2006 г. Тезисы докладов Санкт-Петербург, 2006 Итоговый семинар по физике и астрономии по результатам конкурса грантов 2006 года для молодых ученых Санкт-Петербурга 11 декабря ...»

-- [ Страница 3 ] --

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Интерес к созданию и совершенствованию свето- и фотодиодов для средней ИК области спектра (3-5 мкм) связан с возможностью их применения в портативных газоанализаторах и других приборах химического анализа. Применение таких приборов сдерживается невысокой эффективностью светодиодов и желательностью термоэлектрического охлаждения фотодиодов. Для увеличения эффективности вывода излучения из материала с высоким показателем преломления, в которых Френелевские потери на полное внутренне отражение составляют более 90% от генерируемых квантов, используют иммерсионные линзы, просветляющие покрытия, структурирование поверхности, встроенные резонаторы. Каждый из этих способов имеет свои достоинства. Создание встроенного микрорефлектора в светодиоде приводит к увеличению эффективности вывода излучения за счет отражения лучей от наклонных стенок микрорефлектора и их перенаправления к выходной поверхности под углами меньшими угла полного внутреннего отражения. В фотодиодах увеличение отношения принимающей площади к площади p-n перехода, приводит к соответствующему увеличению обнаружительной способности. Структурированная поверхность характеризуется меньшим коэффициентом отражения и большим углом полного внутреннего отражения, что приводит к увеличению эффективности вывода излучения.

Использование иммерсионных линз является, по-видимому, наиболее действенным способом улучшения параметров свето- и фотодиодов, однако является возможным в случае реализации “флип-чип” конструкции диода, для которой характерно наличие свободной от контактов излучающей/принимающей поверхности.

В докладе обсуждаются влияние перечисленных выше факторов на увеличение мощности излучения в светодиодах на основе гетероструктур Р-InAsSbP/nInAsSb/n+-InAs, излучающих на длине волны 4.2 мкм (300 К), в которых полуПроекты молодых кандидатов наук чено суммарное увеличение квантовой эффективности более чем в 2 раза, а также на увеличение обнаружительной способности иммерсионных фотодиодов на основе InAs для интервала длин волн 3.0-3.5 мкм в которых достигнуто значение D*=21011смГц1/2/Вт, что значительно превосходит параметры существующих фотодиодов. Высокое значение обнаружительной способности исследуемых фотодиодов обеспечивается наличием иммерсии, отношением оптической и электрической площадей 10:1, а также рядом особенностей конструкции чипа, таких как, наличие зеркального анода, покрывающего большую часть площади диода, и глубокой мезы, выполняющей функцию микроконцентратора принимаемого излучения.

Данные приборы могут служить основой для создания оптических сенсоров нового поколения для детектирования углекислого газа, метана и др. субстанций, имеющих характерные полосы поглощения в средней ИК области спектра Квантовая эффективность светодиодных структур на основе AlGaInN при большой плотности тока накачки Рожанский И.В., Закгейм Д.А.

Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН В последнее время достигнуты значительные успехи в области эпитаксиального выращивания гетероструктур на основе AlGaInN и создания на их основе светодиодов, излучающих в видимой и ближней ультрафиолетовой области с высокими значениями внешней квантовой эффективности. Высокие эффективности делают возможным создание на основе таких светодиодов источников белого света, способных составить конкуренцию традиционным источникам освещения. Однако, помимо высокой квантовой эффективности, для подобных применений от светодиодов требуется также высокая мощность излучения. В то же время, для всех существующих на данный момент гетероструктур на основе нитридов третьей группы характерен довольно резкий спад эффективности (внешнего квантового выхода) с увеличением плотности тока накачки. Так, рекордные значения эффективности более 50% получены при токе 1 мА и выходной мощности q 1 мВт, а при выходной мощности излучения q 100 мВт и токе I 100 мА внешняя квантовая эффективность оказывается вдвое ниже [1].

Для типичных коммерческих светодиодных гетероструктур при возрастании тока накачки квантовый выход сначала растёт, а затем начинает падать, при этом максимум достигается при токе I 1 10 мА, соответствующая характерная величина плотности тока составляет J 1 10 A/см2.

Рост квантового выхода при малых токах накачки принято связывать с конкуренцией процессов излучательной и безызлучательной рекомбинации в активной области [2], представляющей собой обычно одну или несколько квантовых ям. В то же время, падение квантового выхода при увеличении плотности тока накачки в настоящее время не имеет удовлетворительного объяснения.





В данПроекты молодых кандидатов наук 49 ной работе на основе численного моделирования исследована зависимость эффективности электролюминесценции от тока накачки. Разработана диффузионно-дрейфовая численная модель для расчета транспорта носителей заряда с учетом особенностей, присущих гетероструктурам на основе AlInGaN, в частности наличия встроенных пьезоэлектрических полей. В результате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J 1 A/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией и определяется концентрацией дефектов и соотвествующими скоростями рекомбинации, падение же квантового выхода при плотностях тока J 1 A/см2 связано с ослаблением эффективности токоограничивающего слоя и уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область при увеличении прямого смещения на p-n переходе. Как показывают проведенные расчеты, для этого эффекта важную роль играют положение и реальный профиль легирования широкозонного токоограничивающего слоя и его состав, в частности, эффект заглубления энергетического уровня акцепторов при увеличении доли Al в AlxGa(1-x)N в эмиттере, а также соотношение подвижностей основных и неосновных носителей заряда в p-области, определяемое доминирующими механизмами рассеяния. При этом расчетные зависимости весьма чувствительны к значениям указанных параметров, однако именно при значениях близких к полученным экспериментально, результаты численного моделирования показывают хорошее согласие с зависимостями внешнего квантового выхода от тока, характерными для AlGaInNгетероструктур. Полученный результат свидетельствует в пользу того, что наблюдаемый спад внешнего квантового выхода определяется зависимостью коэффициента инжекции носителей в активную область от плотности тока накачки. Нами предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой активная область смещена в p-легированную область гетероструктуры. В такой структуре интенсивность рекомбинации носителей в активной области обусловлена не инжекцией дырок, как в обычных AlGaInN-гетероструктурах, а инжекцией электронов. В такой структуре спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен.

[1] M.Yamada, et.al., Jap. J. Appl. Phys., 41, 1431 (2002) [2] V.F.Mymrin, et.al., Phys.Stat.Sol.(c), 2 (7), 2928 (2005) [3] I. V. Rozhansky, D. A. Zakheim, Phys. Stat. Sol., 3 (6), 2160-2164 (2006) Квазимолекулярные состояния в легких ядрах Торилов С.Ю.

Санкт-Петербургский государственный университет Одной из главных проблем, возникающих при исследовании квазимолекулярных состояний в ядрах, является повышенная сложность расчетов в рамках микроскопической модели ядра, при приложении ее к данному вопросу. Будучи хорошо апробированной для области малых деформаций и "нормальных" услоПроекты молодых кандидатов наук вий, эта модель далеко не всегда оказывается работоспособной вне этих пределов. Попытки исправить положение учетом многочастичных корреляций и кластеризации, хотя и упрощают модель, но часто требуют введения дополнительных параметров, экспериментальное определние которых или затруднено, или вовсе невозможно. Таким образом можно сделать вывод о том, что "точные" микроскопические модели имеют мало преимуществ в рассматриваемой области перед моделями феноменологическими. Последние могут играть роль первого приближения. В данной работе рассмотрен случай "предельной" альфачастичной модели, когда все ядро рассматривается как ситема слабовзаимодействующих -частиц. При рассмотрении взаимодействия в виде суммы кулоновского потенциала и потенциала Юкавы можно получить очень хорошее согласие с экспериментальными значениями энергий связи альфа-частичных ядер. Если теперь принять предположение, что такое же взаимодействие имеет место и при произвольных деформациях, то на основании простой модели можно рассматривать квазимолекулярную структуру ядер, имеющих экстремально большую деформацию. Пример такого расчета приведен на рисунке 1.

Рассмотрены вращательные полосы в легких ядрах для деформаций, подобных цепным состояниям.

Основываясь на аналогичных предположениях можно произвести расчет энергий возбуждения для перехода ядер в состояние Бозеконденсата. Сравнение с "точными" квантовыми моделями на основе уравнения Хилла-Уиллера и Гросса-Питаевского показывает хорошее согласие, что может говорить о применимости такой модели для очень широкого круга задач.

Работа выполнена при поддержке Гранта Правительства Санкт-Петербурга PD06-1.2-76 Вязкоупругие модели внутрицепных релаксационных процессов и динамический модуль нематических эластомеров Тощевиков В.П.1, Blumen A.2, Готлиб Ю.Я.1 Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург University of Freiburg, Physical Institute, Freiburg, Germany Нематические эластомеры [1-4] представляют собой сшитые полимеры, содержащие в составе макромолекул жесткие мезогенные фрагменты, склонные к образованию жидкокристаллической (ЖК) фазы. Эти системы уникально сочетают упругие свойства сетчатых полимеров и ориентационные свойства жидких кристаллов. За последние годы особое внимание уделялось изучению особенностей молекулярной подвижности таких систем [2-4]. Нематический эластомер в ЖК—фазе характеризуется двумя значениями комплексного модуля сдвига: G* = G + iG и G = G + iG, соответствующими направлению скорости *

–  –  –

В настоящей работе предложен альтернативный подход для описания механической релаксации нематических эластомеров. Используется регулярная кубическая модель сетки, состоящая из многосегментных цепей, которые движутся на фоне неизменного направления ЖК-директора [4]. Рассмотрено несколько вязкоупругих моделей цепей между узлами сетки: свободно-сочлененная цепь, построенная из жестких стержнеобразных фрагментов; модель цепи, состоящая из чередующихся жестких и эластических фрагментов; модель цепи, в которой жесткие фрагменты находятся в боковых ответвлениях. Ориентационные взаимодействия между жесткими фрагментами цепей учитываются в рамках теории самосогласованного поля. Основное внимание уделено исследованию внутрицепных релаксационных процессов, соответствующих движению фрагментов цепей при неподвижных узлах сетки [5]. Для рассмотренных моделей показано, что за счет внутрицепных движений возникает широкая область частот, где G( ) G( ) G ( ) G ( ) 1/ 2. При этом имеют место следующие неравенства: G( ) G ( ) и G( ) G ( ), что находится в соответствии с экспериментальными данными [3]. Модуль упругости G ( ) нематического эластомера, построенного из цепей с мезогенными фрагментами в боковых ответвлениях, характеризуется дополнительным всплеском в области высоких частот. Подобный всплеск также наблюдается в эксперименте [3] для нематических эластомеров, сшитых из цепей с мезогенными фрагментами в боковых ответвлениях.

Работа выполнена при финансовой поддержке правительства Санкт-Петербурга (проект PD 06-1.2-123), INTAS (проект 04-83-2912) и РФФИ (проект 05-03Литература [1] Wang X.J., Prog. Polym. Sci. 1997, 22, 735 [2] Terentjev E.M., Warner M. Eur. Phys. J. E 2001 4, 343.

[3] MartinotyP., Stein P. Finkelmann H., Pleiner H., Brand H.R. Eur. Phys. J. E 2004, 14, 311.

[4] Gotlib Yu.Ya., Torchinskii I.A., Toshchevikov V.P. Macromol. Theory Simul. 2002, 11, 898.

[5] Gurtovenko A.A., Gotlib Yu.Ya. Macromolecules 2000, 33, 6578 52 Проекты молодых кандидатов наук Затухание и фазовый набег интенсивных спиновых волн в эпитаксиальных пленках железо-иттриевого граната Устинов А.Б.

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Изучение стабильных нелинейных волновых явлений в ферромагнитных пленках представляет интерес как с фундаментальных, так и с прикладных позиций.

Одно из таких явлений — нелинейный фазовый набег интенсивных спиновых волн (СВ) — лежит в основе работы сравнительно новых сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов — нелинейных интерферометров, нелинейных направленных ответвителей, активных кольцевых фильтров. Другое явление — нелинейное затухание интенсивных СВ — необходимо учитывать при расчете коэффициентов передачи названных приборов. Следует отметить, что нелинейное затухание увеличивает потери, вносимые прибором в СВЧ тракт, и поэтому является нежелательным эффектом.

Целью настоящей работы являлось изучение затухания и фазового набега спиновых волн, распространяющихся в ферромагнитных пленках в слабом нелинейном режиме (интенсивных спиновых волн). Такой режим характеризуется отсутствием модуляционной неустойчивости СВ.

Для теоретического описания распространения интенсивных спиновых волн в пленках была использована модель нелинейного эволюционного уравнения Гинзбурга-Ландау. В результате решения этого уравнения были получены формулы, описывающие эволюцию амплитуды и фазы интенсивной спиновой волны.

Для экспериментального исследования нелинейного затухания и нелинейного фазового набега интенсивных СВ использовались ферритовые пленочные волноводы шириной 2 мм. Они были вырезаны из монокристаллических пленок железо-иттриевого граната (ЖИГ) с толщинами 5-20 мкм, эпитаксиально выращенных на подложках галлий-гадолиниевого граната. Пленки помещались в измерительный макет, имевший вид спин-волнового фазовращателя. Для возбуждения и приема спиновых волн использовались микрополосковые антенны шириной 50 мкм и длиной 2 мм. Антенны с одной стороны были короткозамкнуты, а с другой стороны были соединены с микрополосковыми линиями, имеющими импеданс 50 Ом, для подвода и отвода СВЧ мощности. Измерения были проведены для трех наиболее часто используемых на практике типов СВ:

прямых объемных СВ, обратных объемных СВ и поверхностных СВ.

Полученные теоретические и экспериментальные результаты находились в хорошем соответствии. Обращают на себя внимание следующие наиболее важные результаты. Уменьшение толщины ферромагнитной пленки ведет к увеличению нелинейного фазового набега интенсивных СВ. При этом нелинейное затухание СВ тоже возрастает. Так, например, на частотах 6-6.5 ГГц при увеличении падающей мощности от –11 дБм до +23 дБм приводило к появлению нелинейного дифференциального фазового сдвига поверхностных СВ на 120 граПроекты молодых кандидатов наук 53 дусов для пленки толщиной L1 = 13,5 мкм и на 260 градусов для пленки толщиной L2 = 5,7 мкм. При этом минимальные вносимые потери СВЧ сигнала возрастали от –8 дБ до –16 дБ для пленки L1 и от –10 дБ до –24 дБ для пленки L2.

Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант № 05-02-17714), Федерального агентства по образованию РФ (проект РНП/2.1.1.1382), Федерального агентства по науке РФ (проект НШ-8860.2006.2) и Администрации СанктПетербурга (шифр PD 06-1.2-8).

Синтез и термические превращения нанослоистой системы TiO2 - - Al2O3 Захарова Н.В., Малков А.А., Морозов С.А., Малыгин А.А.

Санкт-Петербургский государственный технологический институт.

Твердые оксидные материалы характеризуются широким спектром физикохимических и механических свойств, благодаря чему находят применение во многих технологических процессах и технических устройствах.

В работе рассмотрены закономерности синтеза титаноксидных наноструктур на поверхности -Al2O3 путем его последовательной обработки парами TiCl4 и H2O в температурном интервале 200 — 600оС. Поскольку синтез методом МН включает в себя несколько последовательных стадий, было изучено влияние температурного фактора на всех технологических стадиях (подготовки исходной алюмооксидной матрицы, обработки целевыми реагентами, а также последующей десорбции) на формирование титаноксидного нанослоя.

По результатам химического анализа модифицированных продуктов, установлено что в ходе синтеза наблюдается закономерное увеличение содержания титана в составе наращиваемых поверхностных структур. В зависимости от числа циклов МН, в соответствии с данными спектроскопии диффузного отражения образцы, полученные методом МН, характеризуются наличием плеча при =345 нм, отсутствующим в механической смеси. Присутствие такого плеча в спектре может являться доказательством наличия связи Al–O-Ti между исходной алюмооксидной матрицей и титаноксидным нанослоем. Кроме того, в спектрах диффузного отражения модифицированных образцов в ходе наращивания титаноксидного нанослоя от 1 до 4 циклов МН отмечается сдвиг края полосы поглощения от =380 нм до 395 нм, характерном для объемной анатазной фазы диоксида титана. Отмеченный факт свидетельствует о промежуточном кислородном координационном окружении атомов титана между 4 и 6 в титаноксидных группировках на начальных стадиях и увеличении его до 6 по мере наращивания и формирования фазы диоксида титана. Отмеченные закономерности находятся в хорошем согласии с результатами рентгенофазового анализа, подтверждающего формирование в ходе синтеза на определенной стадии соответствующей фазы диоксида титана. При этом установлено, что варьирование 54 Проекты молодых кандидатов наук температурных режимов отдельных стадий газофазного синтеза приводит к формированию на поверхности -Al2O3 титаноксидных структур анатазной или одновременно анатазной и рутильной модификаций.

Наличие химической связи между твердофазной матрицей и нанослоем и различное их фазовые состояния должны, безусловно, оказывать влияние на последующие превращения твердофазной композиции. С использованием спектроскопии диффузного отражения, ИК-спектроскопии с Фурье преобразованием и РФА рассмотрен характер структурных превращений в интервале 200оС в системе -Al2O3-TiO2, различающейся технологической предысторией ее получения.

Работа выполнена в рамках гранта Президента РФ для государственной поддержки молодых российских ученых МК-7042.2006.3, при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты 05-03-32056 и 05-03-08172) и программ Минобразования и науки России.

Оглавление

Предисловие

Дипломные проекты

Синтез и исследование газочувствительных наноструктурированных композитов на основе диоксидов олова и кремния с каталитическими добавками Грачева И.Е

Расчёт параметров изотопического сдвига для ионов с одним и двумя валентными электронами. Поиск вариаций постоянной тонкой структуры Король В. А., Козлов М. Г

Создание новой технологии, обеспечивающей безопасное и эффективное применение ДНК-вакцин Кулябина О.В., Мурашев Б.В..

Прямое наблюдение утечек неравновесных носителей заряда из активной области лазерных диодов Ладутенко К.С.

Исследование электромагнитных процессов в синхронном генераторе с обмоткой якоря из высокотемпературного сверхпроводника Манзук М.В., Чубраева Л.И.

Система управления учебным ЯМР-томографом Серегин А.Н., Ю.И. Неронов

Излучение терагерцового диапазона из микроструктур p-GaAsN/GaAs в условиях примесного пробоя Cофронов А.Н., Шалыгин В.А., Воробьев Л.Е

Исследование СВЧ нелинейного пленочного спин-волнового направленного ответвителя Тимофеева М.А., Устинов А. Б.

Рассеяние электромагнитных волн в ограниченных системах Ульянов Д.С

Моделирование трехосного нейтронного спектрометра СНК-3 для реактора ПИК Зворыкина О.И., Вахрушев С.Б

Кандидатские проекты

Разработка и исследование методов повышения точности угловых измерений с помощью динамического гониометра Гончаров Н.В

56 Оглавление Взаимодействие 5-алкилсульфонил- и 5-алкилсульфинил-1-(4-нитрофенил) тетразолов с формальдегидом Егорова Н.Г., Артамонова Т.В., Колдобский Г.И

Моделирование экспериментов с ультрахолодными нейтронами Фомин А.К.

Исследование механизмов формирования полос комплексов В…HHal в газовой фазе Громова Е.И.

Исследование явления дифракции лазерного излучения на "зеркальной" апертуре и разработка на его основе приборов контроля геометрических параметров и пространственного положения объектов Иванов А.Н.

Исследование структурных и электрофизических свойств низкоразмерных тонкопленочных структур на основе PbTe с помощью атомно-силовой микроскопии Канагеева Ю.М.

Определение параметров нанокластеров по электронномикроскопическому изображению Кириленко Д. А

Генезис энергетического спектра бесцепочечных ВТСП с различным числом медь-кислородных слоев и механизм влияния его параметров на сверхпроводящие свойства данных соединений Мартынова О.А

Нелинейная линия передачи на основе сегнетоэлектрических пленок Михайлов А. К.

Колебательная структура оже-спектра Д.А. Мистров

Спиновое расщепление в SiGe наноструктурах, обусловленное анизотропией интерфейсов Нестоклон М.О

Получение адсорбентов на основе наноструктурированных углеродных кластеров и использование их для очистки водных сред Никонова В.Ю

Формирование оптических микроэлементов методом фазово-структурной модификации стеклокерамики излучением YAG:Nd-лазера Новиков Б. Ю.

Эрозия электродов в импульсной дуге высокого давления с током до 1.5 МА Пинчук M.Э

Оглавление 57 Наноструктурные стеклокерамические покрытия для защиты углеродных материалов в экстремальных условиях Плотникова А.С., научный руководитель: чл.-корр. РАН Жабрев В.А.... 30 Фазовые и электрооптические свойства жидких кристаллов вблизи перехода из изотропной фазы в Смектик-А Рогожин В.Б.

Трехканальные пеленгационные чувствительные элементы системы АСН Савинов М. В.

Реактивное ускорение пеллета в неоднородном магнитном поле токамака Сениченков И.Ю., Гусаков П.Е.

Затухание Ландау в нейтронных звёздах Штернин П.С

Фазовое разделение и кристаллизация в наноразмерных силикатных пленках, содержащих бор и гадолиний Смирнова И.В

Особенности утилизации D-ксилозы мутантными штаммами дрожжей tannophilus Трушникова Е.П.

Синхронизация пятнообразовательной деятельности на Солнце Золотова Н.В.

Фрактальная структура силикофосфатных протонпроводящих нанокомпозитов Цветкова И.Н.

Синтения геномов гороха и модельных бобовых — ключ к выяснению нуклеотидных последовательностей генов гороха Жуков В.А., Борисов А.Ю., Ворошилова В.А., Кузнецова Е.В., Овчинникова Е.С., Пинаев А.Г., Розов С.М., Рычагова Т.С., Цыганов В.Е., Штарк О.Ю., Madsen L.H., Moffet M.D., Radutoiu S., Stougaard J., Weeden N.F., Тихонович И.А.

Полупроводниковый лазер с искривлёнными штрихами распределённого брегговского зеркала Дюделев В.В

Проекты молодых кандидатов наук

Структурная устойчивость инвариантных множеств виброударных систем Крыжевич С. Г.

Исследование динамики механизмов транспортирования материалов швейных машин Марковец А.В., Мазин Л. С

58 Оглавление Микромеханика акустической эмиссии гетерогенных материалов Носов В.В

Торцевые полупроводниковые лазеры с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации.

Новиков И.И., Щукин В.А., Гордеев Н.Ю., Карачинский Л.Я., Лифшиц Д.А., Максимов М.В., Савельев А.В., Шерняков Ю.М., Ковш А.Р., Крестников И.Л., Михрин С.С., Леденцов Н.Н., Бимберг Д.. 46 Подавление Френелевских потерь в источниках и приемниках излучения на основе InAs и его твердых растворов, в диапазоне длин волн 3-5 мкм.

Ременный М.А., Зотова Н.В

Квантовая эффективность светодиодных структур на основе AlGaInN при большой плотности тока накачки Рожанский И.В., Закгейм Д.А.

Квазимолекулярные состояния в легких ядрах Торилов С.Ю.

Вязкоупругие модели внутрицепных релаксационных процессов и динамический модуль нематических эластомеров Тощевиков В.П., Blumen A., Готлиб Ю.Я.

Затухание и фазовый набег интенсивных спиновых волн в эпитаксиальных пленках железо-иттриевого граната Устинов А.Б.

Синтез и термические превращения нанослоистой системы TiO2 - - Al2O3 Захарова Н.В., Малков А.А., Морозов С.А., Малыгин А.А.

–  –  –



Pages:     | 1 | 2 ||
 
Похожие работы:

«Фе дера льное гос ударс твенное бюджетное учреж дение науки ИнстИтут космИческИх ИсследованИй РоссИйской академИИ наук (ИКИ РАН) ВАсИлИй ИВАНоВИч Мороз Победы и Поражения Рассказы дРузей, коллег, учеников и его самого МосКВА УДК 52(024) ISBN 978-5-00015-001ББК В 60д В Василий Иванович Мороз. Победы и поражения. Рассказы друзей, коллег, учеников и его самого Книга посвящена известному учёному, выдающемуся исследователю планет наземными и  космическими средствами, основоположнику отечественной...»

«СПИСОК ИЗДАНИЙ ИЗ ФОНДОВ РГБ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ К ОЦИФРОВКЕ В ОКТЯБРЕ 2015 Г. Содержание Общенаучное и междисциплинарное знание 3 Ежегодник «Системные исследования» 3 Естественные науки 5 Физико-математические науки 5 Математика 5 Физика. Астрономия 9 Химические науки 14 Биологические науки 22 Техника. Технические науки 27 Техника и технические науки (в целом) 27 Радиоэлектроника 29 Машиностроение 30 Приборостроение 32 Химическая технология. Химические производства 33 Производства легкой...»

«СПИСОК ИЗДАНИЙ ИЗ ФОНДОВ РГБ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ К ОЦИФРОВКЕ В ОКТЯБРЕ 2015 Г. Содержание СПИСОК ИЗДАНИЙ ИЗ ФОНДОВ РГБ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ К ОЦИФРОВКЕ В ОКТЯБРЕ 2015 Г. Общенаучное и междисциплинарное знание Ежегодник « Системные исследования» Естественные науки Физико-математические науки Математика Астрономия Химические науки Науки о Земле Серия «Открытие Земли». Биологические науки Техника. Технические науки Техника и технические нау ки (в целом) Радиоэлектроника Машиностроение Приборостроение...»

«Гастрономический туризм: современные тенденции и перспективы Драчева Е.Л.,Христов Т.Т. В статье рассматривается современное состояние гастрономического туризма, который определяется как поездка с целью ознакомления с национальной кухней страны, особенностями приготовления, обучения и повышение уровня профессиональных знаний в области кулинарии, говорится о роли кулинарного туризма в экономике впечатлений, рассматриваются теоретические вопросы гастрономического туризма. Далее в статье...»

«РЯЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. С.А. ЕСЕНИНА БИБЛИОТЕКА ПРОФЕССОР АСТРОНОМИИ КУРЫШЕВ В.И. (1913 1996) Биобиблиографический указатель Составитель: заместитель директора библиотеки РГПУ Смирнова Г.Я. РЯЗАНЬ, 2002 ОТ СОСТАВИТЕЛЯ: Биобиблиографический указатель посвящен одному из замечательных педагогов и ученых Рязанского педагогического университета им. С.А. Есенина доктору технических наук, профессору Курышеву В.И. Указатель включает обзорную статью о жизни и...»

«200 ЛЕТ АСТРОНОМИИ В ХАРЬКОВСКОМ УНИВЕРСИТЕТЕ Под редакцией проф. Ю. Г. Шкуратова БИБЛИОГРАФИЯ РАБОТ ЗА 200 ЛЕТ Харьков – 2008 СОДЕРЖАНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА 1. ИСТОРИЯ АСТРОНОМИЧЕСКОЙ ОБСЕРВАТОРИИ И КАФЕДРЫ АСТРОНОМИИ.1.1. Астрономы и Астрономическая обсерватория Харьковского университета от 1808 по 1842 год. Г. В. Левицкий 1.2. Астрономы и Астрономическая обсерватория Харьковского университета от 1843 по 1879 год. Г. В. Левицкий 1.3. Кафедра астрономии. Н. Н. Евдокимов 1.4. Современный...»

«АРХЕОЛОГИЯ ВОСТОЧНОЕВРОПЕЙСКОЙ СТЕПИ  Жуклов А.А. К 80-ЛЕТИЮ САРАТОВСКОГО АРХЕОЛОГА И КРАЕВЕДА ЕВГЕНИЯ КОНСТАНТИНОВИЧА МАКСИМОВА Евгений Константинович Максимов родился 22 октября 1927 года в городе Вольске Саратовской области. В младшие школьные годы мечтал стать астрономом, в старших классах – кинорежиссером. Готовился даже выступить на диспуте в горкоме комсомола на тему «Кем я буду» с докладом о советских кинорежиссерах. Но после окончания школы подал документы на исторический факультет...»







 
2016 www.nauka.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.