WWW.NAUKA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, издания, публикации
 


Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 8 |

«3, 2011 Главный редактор В.Г. РУДЬ Редакционная коллегия серии: В.М. АНИЩИК (ответственный редактор), С.В. АБЛАМЕЙКО, В.Г. БАРЫШЕВСКИЙ, Б.И. БЕЛЯЕВ, В.В. БЕНЯШ-КРИВЕЦ (зам. ...»

-- [ Страница 1 ] --

НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ

БЕЛОРУССКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО

УНИВЕРСИТЕТА

3, 2011

Главный редактор

В.Г. РУДЬ

Редакционная коллегия серии:

В.М. АНИЩИК (ответственный редактор),

С.В. АБЛАМЕЙКО, В.Г. БАРЫШЕВСКИЙ, Б.И. БЕЛЯЕВ, В.В. БЕНЯШ-КРИВЕЦ (зам. ответственного

редактора), Е.С. ВОРОПАЙ (ответственный секретарь), В.И. ГРОМАК, М.А. ЖУРАВКОВ, А.И. КАЛИНИН, Ф.Ф. КОМАРОВ, В.И. КОРЗЮК, В.В. КРАСНОПРОШИН, П.Д. КУХАРЧИК, П.В. КУЧИНСКИЙ, П.А. МАНДРИК, С.А. МАСКЕВИЧ, Д.Г. МЕДВЕДЕВ, С.Г. МУЛЯРЧИК, Е.А. РОВБА, А.Л. ТОЛСТИК, В.В. УГЛОВ, И.Д. ФЕРАНЧУК, Ю.С. ХАРИН, С.Н. ЧЕРЕНКЕВИЧ, А.Ф. ЧЕРНЯВСКИЙ, Н.И. ЮРЧУК М ИН С К БГУ

Учредитель:

Белорусский государственный университет

ВЕСТНИК БГУ

Серия 1: Физ. Мат. Информ. 2011. № 3 Свидетельство о государственной регистрации № 10 На русском и белорусском языках Почтовый адрес редакции: 220030, Минск, ул. Бобруйская, 7.

Адрес редакции: ул. Кальварийская, 9, каб. 101, 105. Тел. 259-70-74, 259-70-75.

E-mail: vestnikbsu@bsu.by Редактор отдела И.А. Лешкевич Редактор стилистический Л.А. Меркуль Технический редактор В.П. Швед Набор и верстка выполнены в редакции журнала И.Е. Янович, В.П. Швед Подписано в печать 22.09.11. Формат 60x84 1/8. Бумага офс. Печать офс.

Гарнитура Times New Roman. Усл. печ. л. 16,74. Уч.-изд. л. 17,38.

Тираж 300 экз. Заказ 599.

Цена: для индивидуальных подписчиков – 15 580 руб. (Белпочта), 14 440 руб. (Белсоюзпечать);

для организаций – 41 843 руб. (Белпочта), 39 117 руб. (Белсоюзпечать).

Отпечатано с оригинала-макета заказчика в РУП «Издательский центр БГУ».

220030, Минск, ул. Красноармейская, 6.

ЛП № 02330/0494178 от 03.04.09.

© Вестник БГУ, 2011 УДК 621.373 В.Г. БАРЫШЕВСКИЙ, А.А. ГУРИНОВИЧ

ГЕНЕРАЦИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ В ЛАЗЕРАХ НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ

С ДИФРАКЦИОННЫМИ РЕШЕТКАМИ (ФОТОННЫМИ КРИСТАЛЛАМИ)

С ИЗМЕНЯЮЩИМСЯ ПРОСТРАНСТВЕННЫМ ПЕРИОДОМ

The equations providing to describe generation process in FEL with varied parameters of diffraction grating (photonic crystal) are obtained. It is shown that applying diffraction gratings (photonic crystal) with the variable period one can significantly increase radiation output.

В настоящее время широкое распространение получили генераторы, использующие излучение электронного пучка в периодических замедляющих системах (лампах бегущей волны – ЛБВ, лампах обратной волны – ЛОВ, лазерах на свободных электронах – ЛСЭ) [1]. Работа многих таких генераторов основана на дифракционном излучении в периодических структурах [2]. При этом в процессе излучения электроны теряют энергию, в результате чего электронный пучок замедляется и происходит нарушение условий синхронизации, обеспечивающих эффективную передачу энергии от пучка к электромагнитной волне. Это ограничивает КПД генератора, который обычно не превышает ~10 %.

Аналогичная ситуация имеет место и в объемных ЛСЭ [3], использующих в качестве резонатора двумерные и трехмерные дифракционные решетки, часто называемые электромагнитными, или фотонными, кристаллами.

Вскоре после создания лампы бегущей волны [4] было показано [5], что для сохранения синхронизма электронного пучка и электромагнитной волны в ЛБВ необходимо обеспечить соответствующее изменение фазовой скорости. Применение систем с изменяющимися параметрами в СВЧ-приборах позволяет заметно увеличить их КПД [5, 6].

Аналогичные методы увеличения КПД широко используются в ондуляторных ЛСЭ.

Согласно [7] для повышения КПД процесса генерации излучения в ЛСЭ, объемных ЛСЭ, лампах бегущей волны, лампах обратной волны в качестве резонатора можно использовать искусственные решетки (электромагнитные или фотонные кристаллы) с изменяющимся в пространстве периодом.

В настоящей статье получены уравнения, описывающие процесс генерации излучения в таких кристаллах релятивистскими пучками с учетом потерь энергии в процессе излучения.

Уравнения генерации в системах с электромагнитными кристаллами с изменяющимися параметрами. В общем случае уравнения, описывающие процесс генерации лазерного излучения, находятся из уравнений Максвелла:





1 D 4 1 H rotH = + j, rotE =, c t c t c divD = 4, + divj = 0, (1) t Вестник БГУ. Сер. 1. 2011. № 3 где E и H – электрическое и магнитное поля, j и – плотности тока и заряда, электромагнитная

–  –  –

где k = k +.

Воспользуемся тем, что в рассматриваемом случае характерная длина, на которой происходит изменение параметров решетки, значительно больше периода решетки. Это позволяет записать поле

–  –  –

Для ясности предположим, что период дифракционной решетки (решетки фотонного кристалла) изменяется в одном направлении, и обозначим его как ось z.

Итак, для одномерного случая, когда k ((r )) = (k, k z ( z )), система уравнений (14) преобразуется следующим образом:

по поперечной координате точки влета частицы в резонатор r0 и времени влета частицы в резонатор t.

Согласно [10] процесс усреднения в уравнении (18) упрощается, если предположить, что случайные фазы, появляющиеся в результате случайной поперечной координаты и времени влета, в уравнении (18) представлены в виде разностей. Поэтому двойное интегрирование по d 2r0 dt0 можно заменить однократным интегрированием [10].

–  –  –

( z, t ( z )) = ( z, t ( z ), p ) dp.

Полученные уравнения (20), (23), (25), (27) позволяют описать процесс генерации в ЛСЭ с изменяющимися параметрами дифракционной решетки (электромагнитного, фотонного кристалла) с учетом потерь энергии электронным пучком в процессе излучения. Изменение периода электромагнитного кристалла позволяет, так же как и в случае ЛСЭ с изменяющимся периодом осциллятора, согласовать темп потери энергии с требованиями выполнения условий синхронизма для эффективного излучения и тем самым повысить КПД таких генераторов.

В экспериментах, проведенных нами с использованием двух фотонных кристаллов, созданных с помощью периодически расположенных нитей и обладающих разным периодом [11], было продемонстрировано возрастание длительности излучения и, как следствие, энергии излучения, обусловленное восстановлением синхронизации во втором кристалле.

1. G r a n a t s t e i n V. L., P a r k e r R. K., A r m s t r o n g C. M. // Proceedings of the IEEE. 1999. Vol. 87. № 5.

2. Б о л о т о в с к и й Б. М., В о с к р е с е н с к и й Г. В. // УФН. 1966. Т. 88. С. 209.

3. B a r y s h e v s k y V. G. // NIM 445A, 281 (2000); LANL e-print arXiv: physics/9806039.

4. K o m p f n e r R. // Wireless World. 1946. Vol. 52. Р. 369.

5. P i e r c e R. // Proc. IRE. 1947. Vol. 35. Р. 111.

6. Б а т у р а М. П., К у р а е в А. А., С и н и ц ы н А. К. Моделирование и оптимизация мощных электронных приборов СВЧ. Мн., 2006.

7. B a r y s h e v s k y V., G u r i n o v i c h A. Proceedings of FEL2006 335 (Berlin, Germany) (2006); LANL e-print arXiv:

physics/0608068v1.

8. Л а н д а у Л. Д., Л и ф ш и ц Е. М. Теория поля. М., 1988.

9. П и н с к е р З. Г. Рентгеновская кристаллооптика. М., 1982.

10. B a t r a k o v K. G., S y t o v a S. N. // Computational Mathematics and Mathematical Physics. 2005. Vol. 45. № 4. Р. 666.

11. B a r y s h e v s k y V. G., B e l o u s N. A., E v d o k i m o v V. A. et al. // Proceedings of FEL2009 (Liverpool, UK, MOPC49) 134 (2009). http://www.JACow.org; LANL e-print arXiv: physics/0605122.

Поступила в редакцию 24.06.11.

Владимир Григорьевич Барышевский – доктор физико-математических наук, профессор, директор НИИ ядерных проблем БГУ. Область научных интересов – ядерная физика и физика высоких энергий, лазеры на свободных электронах, магнитная кумуляция энергии с помощью взрыва. Общее количество научных работ – более 250, из них статей в международных журналах – 106, монографий – 4.

Александра Анатольевна Гуринович – старший научный сотрудник лаборатории сильноточной электроники НИИ ядерных проблем БГУ. Область научных интересов – лазеры на свободных электронах, магнитная кумуляция энергии с помощью взрыва. Общее количество научных работ – 46, из них статей в международных журналах – 10.

УДК 621.315.5 А.Р. ЧЕЛЯДИНСКИЙ, В.Б. ОДЖАЕВ

ЭФФЕКТ ВОТКИНСА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

ЯВЛЕНИЕ И ПРИЛОЖЕНИЯ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Physical nature of the Watkins effect as an important interaction of the impurities and point defects for modification of silicon structures properties is analyzed. The Watkins effect is displayed in electrical activation and diffusion of implanted impurities, in formation of the extended damages from point defects in silicon.

Одним из основных направлений подготовки специалистов, исследований и разработок кафедры физики полупроводников и наноэлектроники БГУ является полупроводниковое материаловедение, важнейшая составляющая которого – управляемое дефектно-примесное взаимодействие. Именно примесям и дефектам полупроводники в значительной степени обязаны своими свойствами. Инте

<

Физика

ресным и, как оказалось, полезным для практики взаимодействий примесей и дефектов в монокристаллическом кремнии является эффект Воткинса [1]. Воткинс обнаружил, что в процессе облучения монокристаллического кремния высокоэнергетичными электронами при температуре 4,2 К (позже также реакторными нейтронами) легирующие примеси B, Al, Ga вытесняются из узлов решетки возникающими междоузельными атомами Si. Аналогичное явление наблюдалось в монокристаллах германия. В более поздних работах вытеснение примеси III группы из узлов решетки кремния во время облучения зарегистрировано при более низких температурах – 1,6 и 0,5 К. В радиационной физике возникло представление об атермической миграции междоузельного атома кремния (SiI) в решетке кремния, общепринятой моделью которой долгое время считалась известная модель Бургуэна [2], хотя ее основы были заложены еще в работе К. Вейзера [3]. Согласно данной модели, междоузельный атом может находиться в гексагональном либо тетраэдрическом междоузлии в строго определенном зарядовом состоянии. При смене зарядового состояния он переходит из одного междоузлия в другое.

Неравновесные носители заряда, возникающие в процессе облучения, в принципе могут обеспечивать последовательную перезарядку атома Si и тем самым его безактивационное движение в решетке кремния. Эта модель предполагает случайную миграцию атома кремния по кристаллу. В экспериментах же Воткинса наблюдалась 100 % эффективность процесса замещения: число вытесненных из узлов решетки атомов бора равнялось числу возникающих междоузельных атомов кремния.

Согласно разработанной модели [4] причина атермической миграции заложена не в атоме Si, а в примесях замещения. По этой модели из узлов решетки вытесняются все примеси с ковалентными радиусами, отличными от радиуса атома решетки. Междоузельный атом Si движется, в том числе и при сверхнизких температурах, в поле упругих деформаций, создаваемых атомами замещения (рис. 1).

В этой модели атомы решетки, смещенные из равновесных положений в первой координационной сфере относительно атома примеси и во все меньшей степени в последующих сферах (затухание), поляризуются, т. е. на них возникают электрические дипольные моменты. Под действием диполей смещенных атомов на междоузельных атомах Si появляется наведенный дипольный момент.

На рис. 1 показаны смещения атомов кремния относительно примесного атома с ковалентным радиусом меньше радиуса атома кремния (например, атома В). Для атомов примеси с большим, чем у кремния, ковалентным радиусом смещения имеют обратный знак (например, у атома Sb), но и в этом случае должна быть поляризация смещенных атомов кремния. Поскольку величина дипольных моментов атомов решетки круто нарастает к центру деформации, междоузельный атом Si движется к атому примеси. Было показано [4], что из узлов решетки вытесняются примеси не только III, но и V группы P, Sb, но не вытесняются атомы As, поскольку у мышьяка ковалентный радиус 0,117 нм практически совпадает с коваРис. 1. Движение атома Si в кремнии лентным радиусом атома кремния (0,1175 нм).

в поле упругих деформаций, Явление Воткинса оказалось полезным для регистра- создаваемых примесью замещения [4] ции в имплантированном кремнии устойчивых междоузельных комплексов и оценки их концентраций. Исследования методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) позволили установить, что в кремнии, облученном тяжелыми частицами (реакторные нейтроны, ионы), образуются междоузельные комплексы типа Si-P6, Si-B3 в положительном зарядовом состоянии и Si-A5 и Si-O2 – в нейтральном. Однако концентрации междоузельных дефектов по данным ЭПР были на 2–3 порядка ниже концентрации дивакансий – превалирующего дефекта вакансионного типа. В результате в радиационной физике кремния сложился и долгое время существовал «вакансионный» период. Необходимо отметить, что число парамагнитных центров в кристаллах с сильно неоднородным распределением структурных нарушений и их высокой концентрацией в центре области скоплений дефектов, имеющее место в кремнии, облученном тяжелыми частицами, далеко не полностью может отражать истинное число дефектов. Авторы [5, 6] исходили из того, что если в облученном кремнии существуют в заметных концентрациях устойчивые междоузельные комплексы и при отжиге будут освобождаться междоузельные атомы Si, то последние должны вытеснять из узлов решетки примеси замещения. Для реализации данного эксперимента необходимо, рис. 3 следует, что число вытесненных атомов бора из узлов решетки при 120 °С (кривые 1, 2), когда междоузельные комплексы Si-P6 находятся в положительном зарядовом состоянии, мало. Процесс замещения протекает более интенсивно, если эти дефекты переведены в нейтральное зарядовое состояние (кривые 3, 4). Это объясняется тем, что междоузельные комплексы Si-P6 в положительном зарядовом состоянии не отжигаются при термообработке, а преимущественно перестраиваются в более стабильные комплексы Si-B3, отжигающиеся затем на стадии 480 °С, что согласуется с результатами исследований ЭПР. Согласно данным, представленным на рис. 3, дефекты в нейтральном зарядовом состоянии Si-A5 не перестраиваются, а отжигаются с освобождением подвижных междоузельных атомов Si, которые принимают участие в процессе замещения. Из этих данных также следует, что комплексы Si-B3 образуются не только в результате перестройки из комплексов Si-P6, но и непосредственно при облучении.

Интересные результаты получены для сильно легированного бором и имплантированного ионами N (энергия ионов 150 кэВ, доза 3,3·1014 см–2) кремния. На первой стадии междоузельные комплексы + отжигаются при 160 °С, т. е. они находятся в нейтральном зарядовом состоянии Si-A5. Однако вторая стадия отжига междоузельных комплексов имеет максимум при 480 °С. Это означает, что высокотемпературные междоузельные комплексы находятся в положительном зарядовом состоянии Si-B3.

Из этих результатов следует, что до температур первой стадии имплантированный азот можно рассматривать как донор и одновременное легирование кремния бором и азотом приводит к компенсации зарядов. При температурах второй стадии азот уже не является донором. Согласно данным [7], при температурах около 430 °С атомы азота выходят из узлов решетки кремния и образуют электрически нейтральные комплексы, природа которых до сих пор не установлена.

Одной из проблем ионного легирования кремния является ускоренная диффузия имплантированных примесей при последующей термообработке, необходимой для отжига радиационных дефектов и перевода внедренной примеси в узлы решетки. Коэффициенты диффузии имплантированных в кремний бора и фосфора могут на несколько порядков превышать собственные значения. В случае лампового отжига при температуре 900 °С это превышение коэффициента диффузии фосфора составляет 103 раз. Установлено, что ускоренная диффузия этих примесей обязана междоузельным атомам кремния [8, 9]. Сотрудниками кафедры впервые было предложено вводить в имплантированные слои кремния дополнительные примеси, электрически нейтральные в кремнии, с ковалентными радиусами, отличными от радиуса атома кристалла, и являющиеся ловушками для междоузельных атомов Si вследствие эффекта Воткинса. В первых экспериментах такой примесью был германий. Поскольку при имплантации тяжелой примеси Ge слой становился аморфным, проводилась термообработка для рекристаллизации слоя и затем имплантировалась электрически активная примесь: бор [8], фосфор [9]. Для подавления ускоренной диффузии использовалась также имплантация углерода, который, чтобы быть ловушкой для междоузельных атомов Si, должен располагаться в узлах решетки кремния. Растворимость углерода в кремнии по сравнению с равновесной (около 1018 см–3) может быть повышена на два порядка. Это достигается быстрым термическим отжигом кремния, имплантированного ионами С+, а также последующим облучением слоя ионами Si+ для аморфизации слоя. В исследованиях [11] установлено, что локализация имплантированного углерода в узлах и междоузлиях зависит от плотности тока ионного пучка. При эффективной плотности тока ионов сканирующего пучка 11,5 мкА·см–2 углерод практически полностью располагается в узлах решетки сразу при имплантации. Это объясняется увеличением мгновенной концентрации вакан- Рис. 4. Профили диффузии имплантированного сий в слое внедрения и подавлением вследствие высокого фосфора в кремнии (1, 2, 5) и в слоях кремния, уровня ионизации эффекта Воткинса, т. е. вытеснения предварительно легированных германием (3, 4, 6),

ФР = 6·1013 см–2, ФGe = 5·1015 см–2:

атомов углерода из узлов атомами Si.

1–4 – ламповый отжиг, 900 °С, 12 с;

На рис. 4 представлены профили диффузии импланти- 5–6 – термоотжиг, 1050 °С, 15 мин;

рованного фосфора в кремнии и в слоях кремния, предва- 1, 3, 5, 6 – эксперимент; 2, 4 – расчет

Вестник БГУ. Сер. 1. 2011. № 3

рительно легированных германием. Ускоренная диффузия Р и В протекает только при малых длительностях отжига за счет избыточных атомов Si, и введение германия в качестве их ловушек снижает скорость диффузии фосфора при ламповом отжиге. С увеличением длительности отжига коэффициент диффузии фосфора стремится к собственному значению. Поэтому введение германия существенно не влияет на диффузию фосфора при термоотжиге в печи длительностью 15 мин. Результаты экспериментов по совместной имплантации фосфора и примесей IV группы [9] были веским доводом в пользу того, что именно междоузельные атомы Si ответственны за ускоренную диффузию фосфора. Отсутствие зависимости коэффициента диффузии фосфора при ламповом отжиге от температуры можно объяснить только его диффузией по комплексу. Согласно предложенной модели, комплекс образуется при попадании в одно и то же междоузлие атома Р и атома Si, что легко реализуется при сильном пересыщении слоя внедрения дефектами. При дозе ионов Р+ 1·1014 см–2 концентрация дефектов составляет около 1020 см–3, концентрация фосфора – 1·1019 см–3. Однако образование такой пары из атома Р и Si в одном междоузлии (PI) возможно не только случайно, но и с необходимостью, если в слое имеются атомы Р в узлах решетки и возникают избыточные атомы Si. Атом Р в узлах решетки кремния с ковалентным радиусом 0,11 нм, отличным от радиуса атома решетки, создает вокруг себя упруго искаженную сферу. Для атома Р в кремнии этот радиус составляет 4 нм [4]. Если в данную сферу попадают два атома Si, они оба движутся к атому Р. Один из них вытесняет атом Р в междоузлие, другой оказывается в этом же междоузлии.

Скорость генерации пар PI можно записать G(x, t) = K·CР(x, t)Ci(x, t), где СР – концентрация атомов фосфора, Ci – концентрация междоузельных атомов Si, которые образуются при разрушении междоузельных комплексов, К – скорость реакции.

В процессе диффузии число комплексов будет равно G(x, t), где – время жизни комплекса.

E dif С учетом экспоненциальной зависимости коэффициента диффузии D = D0 exp( ) и времени kT E an = 0 exp( ) поток примеси J можно записать kT E dif d E an J = D0 exp( ) G 0 exp( ). (1) kT dx kT Как следует из формулы (1), при равенстве энергии активации диффузии Еdif комплекса и энергии активации его отжига (развала) Ean поток примеси не зависит от температуры, что установлено экспериментально [9]. Для предложенной диффузионной пары выполняется вытекающее из эксперимента равенство энергий активации отжига комплекса и его диффузии. Когда пара PI получает от решетки энергию выше барьера, она может прыгать в соседнее междоузлие как целое (диффузия) либо атомы Р и Si прыгают в разные междоузлия (разрушение пары). Для обоих процессов необходима одна и та же энергия активации. Для пары атом Р – атом Si барьер для миграции из одного междоузлия в другое меньше, чем для изолированного атома Р, что обеспечивает большую скорость диффузии пары по сравнению с изолированным атомом.

При термообработке кремния, имплантированного бором, с увеличением длительности отжига коэффициент диффузии В от аномально высокого уменьшается, проходит через собственное значение (через 17 с при t = 1050 °С) и при дальнейшем увеличении длительности отжига в печи (более 30 с) становится меньше собственного значения [8]. К собственному значению коэффициент диффузии приближается только при длительности отжига 1 ч.

Наблюдаемые закономерности диффузии бора в кремнии объясняются в рамках модели двухпоточной диффузии: по вакансионному и междоузельному каналам. В имплантированном кремнии ускоренная диффузия бора объясняется тем, что диффузия преимущественно по «быстрому» междоузельному каналу стимулируется последовательным вытеснением атомов бора из узлов решетки междоузельными атомами Si (эффект Воткинса). В силу большого сечения замещения по Воткинсу концентрация избыточных атомов Si истощается и ускоренная диффузия прекращается. Затем междоузельные атомы B захватываются на избыточные вакансии как на ловушки и коэффициент диффузии падает ниже собственного значения. Равновесное распределение бора по вакансиям и междоузлиям при температуре 1050 оС достигается через 60 мин.

Физика

Подтверждением того, что примеси Ge и C являются ловушками для междоузельных атомов кремния, будут кривые электрической активации бора в кремнии и в слоях кремния с германием или углеродом (рис. 5) [10]. Стадии «обратного» отжига, обусловленные вытеснением бора из узлов решетки междоузельными атомами Si, в слоях кремния, дополнительно легированных примесями IV группы, отсутствуют.

Эффект Воткинса является важным элементом и обеспечивает основной вклад в подавление образования из точечных радиационных дефектов протяженных нарушений в разработанном сотрудниками кафедры и объединения «Интеграл» пошаговом методе ионного легирования кремРис. 5. Кривые электрической активации ния [12]. Образование остаточных протяженных наруше- имплантированного бора в слоях кремния, ний носит пороговый характер. Для ионов Р и Si с энер- легированных углеродом:

гиями порядка 100 кэВ пороговые дозы ионов составляют 1 – контрольный образец, доза ионов В+ 11014 см–2;

2 – доза ионов С+ 11014 см–2, доза ионов В+ 11014 см–2;

1·1014 см–2. Для создания высоколегированных слоев число легированных германием: 3 – контрольный образец, шагов имплантации с промежуточными отжигами может доза ионов В+ 1,31015 см–2; 4 –+доза ионов –2 + 11016 см–2, отжиг, Ge доза ионов В 1,31015 см [10] быть слишком велико, чтобы иметь практическое использование. Для уменьшения числа шагов в работе [12] эффект пороговой дозы совмещен с эффектом Воткинса, когда междоузельные атомы Si в процессе отжига в каждом следующем шаге расходуются на вытеснение из узлов атомов легирующей примеси бора, активированной в предыдущем шаге легирования. Условием положительного эффекта является сохранение бора в узлах решетки в процессе каждого следующего шага имплантации, т. е. эффект Воткинса в процессе имплантации необходимо подавить, что достигается обеспечением соответствующего уровня ионизации в слое внедрения (эффективная плотность тока ионного пучка 11,5 мкА·см–2). На рис. 6 показаны микрофотографии просвечивающей электронной микроскопии имплантированного бором кремния в одношаговом и пошаговом методе.

В подавлении образования из точечных радиационных дефектов остаточных протяженных нарушений используется также дополнительная имплантация С+, который выступает ловушкой для междоузельных атомов Si вследствие эффекта Воткинса при условии локализации углерода в узлах решетки. Недостатком использования углерода для подавления ускоренной диффузии имплантированных примесей и подавления образования протяженных нарушений является образование включений второй фазы углерода.

Рис. 6. Электронные микрофотографии кремния, имплантированного ионами В+ (а), имплантированного ионами В+ пошаговым методом с плотностью тока ионов Jэф=1,5 мкАсм–2 (б) [12] Эффект Воткинса проявляет себя не только в процессе перестройки точечных радиационных дефектов в протяженные нарушения, но и непосредственно в накоплении радиационных дефектов в процессе имплантации. На рис. 7 представлено накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов N+ при эффективных плотностях тока ионов 0,5 мкА·см–2 (кривая 1) и 0,05 мкА·см–2 (кривая 2) [13]. Большая плотность тока ионов при дозе 9·1014 см–2 вызывает аморфизаАлексей Романович Челядинский – доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник кафедры физики полупроводников и наноэлектроники. Область научных интересов – физика полупроводников; ионно-радиационная технология полупроводников. Автор более 150 печатных работ, в том числе соавтор учебного пособия «Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности».

Владимир Борисович Оджаев – доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники. Область научных интересов – физика полупроводников; радиационная физика полимеров.

Автор более 200 печатных работ, в том числе соавтор монографии «Ионная имплантация полимеров», учебного пособия «Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности».

УДК 535.

А.Л. ТОЛСТИК, Д.В. ГОРБАЧ, О. ОРМАЧЕА (БОЛИВИЯ), О.Г. РОМАНОВ

ЧАСТОТНОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ СВЕТОВЫХ ПОЛЕЙ

МЕТОДАМИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ГОЛОГРАФИИ

The features of the frequency conversion of light beams on recording of nonlinear dynamic holograms in dye solutions have been studied. Four- and six-wave mixing patterns in the intracavity and cavitieless configurations have been considered. The effective multiplication methods for the topological charge of singular light beams have been demonstrated together with the realizations of doubled phase conjugation of coherent images.

Постоянный интерес, проявляемый последние десятилетия к преобразованию световых полей интерференционно-голографическими методами, связан с возможностью реализации прямой оптической обработки изображений и управления пространственно-временной структурой световых полей.

Первые шаги в этой области были сделаны за счет переноса идей и методов традиционной (статической) голографии на процессы динамической записи и обработки световых полей в нелинейных средах. Впоследствии была установлена тесная связь между динамической голографией и нелинейной оптикой. Работы в данном направлении внесли существенный вклад в развитие исследований параметрического взаимодействия в разнообразных средах, стимулировали интерес к процессам преобразования световых пучков со сложной пространственно-временной структурой. Наиболее впечатляющим эффектом явилось открытие явления обращения волнового фронта – ОВФ (фазового сопряжения) световых волн при четырехволновом взаимодействии [1]. На основе ОВФ были разработаны оригинальные способы компенсации фазовых искажений при распространении излучения в оптически неоднородных средах, предложены новые методы оптической обработки информации в реальном времени, при реализации разнообразных логических операций и ассоциативной голографической памяти [2].

Существенное расширение возможностей голографических методов преобразования световых полей связано с переходом к исследованиям многоволновых взаимодействий, используемых в средах с нелинейностями пятого и более высоких порядков [3]. В таких средах имеют место искажения профиля штриха голографической решетки, которые традиционно рассматривались как негативный фактор, приводящий к появлению шумовых компонент дифрагированного излучения. Однако в этих условиях появляются новые компоненты в Фурье-разложении нелинейной восприимчивости среды по пространственным гармоникам динамической решетки, что позволяет реализовать дифракцию считывающего луча в брэгговском режиме во второй и более высокие порядки. Анализ свойств нелинейных голографических элементов способствовал существенному развитию методов обработки оптической информации (пространственная фильтрация, ассоциативная память) и позволил осуществить различные виды преобразований светового пучка (изменение формы волнового фронта, направления распространения, корректировка искажений пространственной структуры, частотное преобразование изображений и т. д.).

Сказанное позволяет сделать вывод об актуальности изучения записи динамических голограмм при многоволновых взаимодействиях и разработки на их основе новых методов преобразования световых полей. В настоящей работе изложены теоретические и экспериментальные результаты по частотному преобразованию световых полей динамическими голограммами при невырожденном

Вестник БГУ. Сер. 1. 2011. № 3

по частоте многоволновом взаимодействии в условиях проявления нелинейностей высших порядков.

Рассмотрены основные физические процессы, приводящие к формированию нелинейного отклика.

Особое внимание уделено нелинейной записи динамических голограмм, позволяющей реализовать обращение волнового фронта с одновременным преобразованием частоты излучения, а также интерференционно-голографическим методам преобразования световых полей.

Теоретическая модель Теоретическая модель частотного преобразования световых полей при записи динамических голограмм в нелинейных средах основывается на системе укороченных волновых уравнений для комплексных амплитуд световых волн в условиях, когда динамические голограммы записываются сигнальной ES и опорной E1 волнами на частоте, а считывание осуществляется волной E2 на удвоенной частоте 2.

Условия фазового синхронизма. В зависимости от направления распространения считывающей волны реализуется четырех- (рис. 1 а) или шестиволновое (рис. 1 б) смешение. В первом случае поляризация, отвечающая за формирование дифрагированной волны ED на частоте 2, имеет вид P E1 ES E2, при этом условие фазового синхронизма k1 + k 2 = k S + k D отвечает уменьшению угла *

–  –  –

простым соотношением R 0 (1 R ). Таким образом, наличие резонаторной связи для волны E2 может приводить к многократному считыванию динамической решетки и увеличению доли энергии волны E2, которая преобразуется в волну ED.

Методика эксперимента Частотное преобразование световых пучков было экспериментально реализовано в этанольном растворе полиметинового красителя 3274У при записи пропускающих динамических голограмм в схеме попутного распространения опорного и сигнального пучков. Краситель 3274У имеет полосу поглощения на основной частоте генерации лазера (интенсивность насыщения I нас 13 МВт/см2, время жизни молекул в возбужденном синглетном состоянии 21 10 пс [7]) и практически прозрачен на частоте второй гармоники, что позволяет записывать динамические голограммы в ИК-области спектра и восстанавливать их в видимой области.

Схема экспериментальной установки представлена на рис. 2. Динамические голограммы записывались на основной гармонике излучения лазера на алюмоиттриевом гранате 1 (длина волны излучения = 1064 нм, расходимость светового пучка 0,5 2 мрад, длительность импульса = 20 нс), соответствующей максимуму полосы поглощения полиметинового красителя 3274У в этаноле.

Восстановление динамических голограмм осуществлялось второй гармоникой излучения того же лазера на длине волны = 532 нм, которая практически не поглощалась раствором красителя. Опорная E1 и сигнальная ES волны формировались спектроделителем 2 и зеркалами 4, 5. Для согласования оптической длины пути сигнальной и опорной волн использовалась линия задержки 6. В качестве сигнального светового пучка был взят сингулярный пучок с винтовой дислокацией волнового фронта, который формировался при дифракции на фазовом транспаранте 7, созданном на основе компьютерно-синтезированных структур, с дифракционной эффективностью около 10 %. Сингулярный пучок направлялся в кювету с раствором красителя 10 под небольшим углом к опорной волне с помощью зеркала 8. Типичные соотношения интенсивности опорной и сигнальной волн составляли I10 = 1 МВт/см2 и IS0 = 0,1 МВт/см2.

Рис. 2. Схема экспериментальной установки для реализации частотно-невырожденного многоволнового смешения световых пучков Считывающая волна на частоте 2 направлялась в кювету с раствором красителя под малым углом навстречу опорной волне E1 с помощью зеркала 3. Для случая частотно-невырожденного четырехволнового взаимодействия направление распространения считывающей волны определялось условием фазового синхронизма k1 k S = k D k 2. Малый угол (2 1, S 30 мрад) между направлениями распространения опорной и сигнальной волн и поперечные размеры пучков (r01 = 250 мкм и r0S = 75150 мкм) обеспечивали эффективное пространственное перекрытие взаимодействующих световых пучков в кювете с раствором красителя. Для выделения дифрагированного пучка использовалось полупрозрачное зеркало 9 и диафрагма 11. Пространственные профили интенсивности световых пучков регистрировались с помощью CCD-камеры, размещенной на выходе интерферометра Маха – Цендера 12, позволяющего получать интерференционные картины для сигнального и дифрагированного световых пучков и идентифицировать их топологическую структуру. Расположение в одном из плеч интерферометра линзы приводило к формированию интерферограммы в виде спира

<

Вестник БГУ. Сер. 1. 2011. № 3

ли, количество рукавов которой пропорционально абсолютной величине топологического заряда оптического вихря, а направление вращения определяет его знак [8].

Аналогичная схема была реализована для внутрирезонаторной записи динамических голограмм.

Основной задачей экспериментального исследования в данном случае являлось сравнение значений дифракционной эффективности динамических решеток при реализации невырожденных многоволновых взаимодействий в безрезонаторной схеме и с использованием интерферометра Фабри – Перо.

Для этого в эксперименте использовались кювета толщиной 500 мкм и интерферометр Фабри – Перо с такой же базой резонатора и коэффициентами отражения зеркал R1 = R2 = 68 % на = 532 нм.

Оптическая толщина раствора красителя 3274У на = 1064 нм в обоих случаях составляла k0L = 1.

Отметим, что интерферометр применялся для излучения = 532 нм, в то время как волны основной частоты генерации лазера (ES и E1) проходили через нелинейную среду без резонаторной обратной связи. Дифракционная эффективность голографических решеток измерялась при использовании для записи пространственно однородных световых пучков одинаковой интенсивности.

Результаты и их обсуждение Результаты экспериментального исследования частотного преобразования сингулярных световых пучков при невырожденном четырехволновом взаимодействии в этанольном растворе полиметинового красителя 3274У приведены на рис. 3 а, б. Как видно, вследствие дифракции считывающей волны на фазовой динамической голограмме, записанной опорной волной и сигнальной волной, содержащей винтовую дислокацию волнового фронта с топологическим зарядом m = 1 (рис. 3 а'), на частоте 2 формируется дифрагированная волна с топологическим зарядом противоположного знака m = –1 (рис. 3 а''). Интерференционная картина, полученная с помощью интерферометра Маха – Цендера, характеризуется наличием однорукавной спиральной структуры, причем различное направление вращения рукавов спирали указывает на различие знаков топологического заряда сигнального (рис. 3 б') и дифрагированного (рис. 3 б'') световых пучков.

Рис. 3. Экспериментально зарегистрированные и теоретически рассчитанные пространственные профили (а, в) и интерференционные картины (б, г) сигнального светового пучка (а' – г') и дифрагированных пучков при четырех- (а'' – г'') и шестиволновом (а''' – г''') взаимодействии Изменение угла считывания динамической голограммы в соответствии с условием фазового синхронизма 2 ( k1 k S ) = k 2 k D позволяет осуществить восстановление записанного изображения во втором порядке дифракции. При этом в экспериментальной схеме считывающая волна направляется точно навстречу опорной волне путем перемещения зеркала 3' в положение 3 (см. рис. 2). Зафиксированный в данной геометрии взаимодействия дифрагированный пучок представлен на рис. 3 а'''. Как видно, полученное изображение соответствует оптическому вихрю второго порядка (m = –2), распавшемуся на два одиночных вихря с топологическим зарядом m = –1. Интерференционная картина подтверждает

Физика

данное суждение, так как характеризуется не двойной спиралью, а наложением двух спиралей. Таким образом, устойчивой структуры оптических вихрей с топологическим зарядом m = –2 зафиксировать не удалось, что может быть обусловлено известным эффектом неустойчивости оптических вихрей второго и более высокого порядка при их распространении, так как регистрация на CCD-камеру проходила на расстоянии 30 см от области взаимодействия (кюветы с раствором красителя), а также влиянием эффектов само- и кросс-модуляции при взаимодействии световых пучков в нелинейной среде.

Результаты экспериментального исследования частотного преобразования сингулярных световых пучков нашли подтверждение в процессе решения системы укороченных волновых уравнений (5), (6). При численном моделировании предполагалось, что сигнальный световой пучок ES содержит винтовую фазовую дислокацию топологического заряда m:

( ) ES ( z = 0, r, ) = ES 0 ( r rS ) r0 S exp ( r rS ) 2r0 S + im.

–  –  –

причем для обеспечения эффективного перекрытия пучков в объеме среды полуширина опорного и считывающего пучков была выбрана в три раза большей, чем у сигнального (r01 = r02 = 3r0 S ). Световые пучки пересекались в нелинейном слое под углом 21 = 40 мрад, начальное расстояние между их центрами на границе z = 0 было r1–rS = r0S = 0,1 см. Пиковая интенсивность опорного пучка варьировалась в диапазоне I 0 = 0,5 5, отношение интенсивности сигнального и опорного пучков

IS0/I10 = 0,1; = 20 нс; = 1064 нм. Параметры нелинейной среды выбирались следующим образом:

начальный коэффициент поглощения составлял k0 = 1 см–1, длина нелинейного слоя равна 1 см, показатель преломления n0 = 1,36; dn/dT = –4·10–4 K–1; C = 2 Дж K–1см–3; полуширина линии поглощения = 100 нм; квантовый выход люминесценции µ21 = 0,01. Длина волны лазерного излучения совпадала с центром полосы поглощения с основного уровня S0 – S1; стоксов сдвиг зеркальносимметричной полосы люминесценции составлял величину = 100 нм.

На рис. 3 в, г представлены результаты численного анализа дифракции E2 на фазовой решетке, записанной гауссовым опорным пучком и сингулярным сигнальным пучком с топологическим зарядом m = 1 (рис. 3 в'). Как для случая четырехволнового (рис. 3 в''), так и для шестиволнового (рис. 3 в''') взаимодействий в дифракционном поле ED формируются типичные для сингулярных пучков кольцевые распределения интенсивности. На картинах интерференции сигнального (рис. 3 г') и дифрагированных (рис.

3 г'') пучков со сферической опорной волной видно, что характерные интерференционные спирали имеют противоположные направления. Причем для случая шестиволнового взаимодействия (рис. 3 г''') количество рукавов спирали удваивается. Это означает, что в процессе четырехволнового взаимодействия формируется дифрагированная волна, волновой фронт которой содержит винтовую дислокацию обратного знака по отношению к сигнальной волне (m = –1). А в процессе шестиволнового взаимодействия одновременно с инвертированием происходит удвоение знака (m = –2) топологического заряда оптического вихря.

Заметим, что полученные при численном анализе изменения знака топологического заряда при четырех- и шестиволновом взаимодействии также следуют из анализа уравнений (5), (6) при использовании выражений (7), (8) для коэффициентов параметрической связи волн (1),(2). Так, при четырехволновом взаимодействии с использованием плоских опорной и считывающей волн (1 + 2 = const) фаза дифрагированной волны противоположна фазе сигнальной волны ( D = S ), что и определяет инвертирование топологического заряда дифрагированного пучка по отношению к сигнальному.

В случае же шестиволнового взаимодействия фаза дифрагированной волны является удвоенной по отношению к фазе сигнальной волны с обратным знаком ( D = 2S ), что позволяет инвертировать знак топологического заряда сингулярного светового пучка с его одновременным удвоением.

Далее рассмотрим результаты расчета дифракционной эффективности динамических решеток на частоте 2 в зависимости от интенсивности записывающих голограмму волн для случаев реализации Достигнутые в эксперименте достаточно высокие значения дифракционной эффективности позволили реализовать частотное преобразование когерентных изображений, формируемых при внесении амплитудных транспарантов в сигнальный пучок. Экспериментально с использованием обеих конфигураций взаимодействия световых пучков (четырех- и шестиволновое смешение) реализовано преобразование изображений из ИК-области спектра в видимую область (рис. 4 в). Динамическая голограмма объекта, сформированного на = 1064 нм, записывалась опорным и сигнальным световыми пучками. Считывание голограммы пучком E2 на = 532 нм в зависимости от геометрии взаимодействия позволяло восстановить первый или второй порядок дифракции. Причем в последнем случае реализовывалось одновременное обращение волнового фронта с удвоением оптической частоты.

*** Таким образом, приведенные результаты теоретических и экспериментальных исследований невырожденного по частоте многоволнового взаимодействия иллюстрируют широкие возможности использования динамических голограмм в разнообразных системах обработки изображений и управления пространственно-временной структурой лазерных пучков. Световые пучки, дифрагированные на различных пространственных компонентах динамической решетки, отличаются как направлением распространения, так и пространственной структурой волнового фронта. Использование различных схем взаимодействия позволяет целенаправленно изменять волновой фронт светового пучка, причем при квадратичной голографической записи возможна реализация обращения волнового фронта с одновременным преобразованием частоты излучения, что перспективно для визуализации сложных ИК-изображений. Запись динамических голограмм сингулярными световыми пучками позволяет реализовать мультиплицирование топологического заряда, используя различные порядки дифракции.

При этом богатая физика процессов в нелинейных интерференционно-голографических системах, присущие им разнообразные эффекты пространственно-временных преобразований световых полей представляют несомненный фундаментальный интерес, позволяя и в дальнейшем рассчитывать на обнаружение новых режимов нелинейно-оптических преобразований световых пучков, разработку эффективных методов оптической обработки информации и способов управления лазерным излучением.

1. С т е п а н о в Б. И., И в а к и н Е. В., Р у б а н о в А. С. // ДАН СССР. 1971. Т. 196. № 3. С. 567.

2. Зе л ь д о в и ч Б. Я., П и л и п е ц к и й Н. Ф., Ш к у н о в В. В. // Обращение волнового фронта. М., 1985.

3. Т о л с т и к А. Л. // Многоволновые взаимодействия в растворах сложных органических соединений. Мн., 2002.

4. K a r p u k S. M., R o m a n o v O. G., R u b a n o v A. S., T o l s t i k A. L. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics / Supplement: Physics of Vibration. 1996. Vol. 60. № 1. P. 52.

5. К а р п у к С. М., Р у б а н о в А. С., Т о л с т и к А. Л. // Оптика и спектроскопия. 1996. Т. 80. № 2. С. 313.

6. O r m a c h e a O., R o m a n o v O. G., T o l s t i k A. L. et al. // Opt. Express. 2006. Vol. 14. P. 8298.

7. М а с а л о в А. В., П е т у х о в В. А., Т и м о х о в и ч Н. В. и др. // Квант. электроника. 1991. Т. 18. С. 749.

8. Р о м а н о в О. Г., Г о р б а ч Д. В., Т о л с т и к А. Л. // Оптика и спектроскопия. 2010. Т. 108. № 5. С. 812.

9. Р о м а н о в О. Г., О р м а ч е а О., Т о л с т и к А. Л. // Вестн. БГУ. Сер. 1. 2008. № 1. С. 8.

Поступила в редакцию 15.06.11.

Алексей Леонидович Толстик – доктор физико-математических наук, профессор, проректор по учебной работе. Область научных интересов – лазерная физика, динамическая голография и нелинейная оптика, сингулярная оптика и оптическая обработка информации, эффекты самоорганизации в нелинейно-оптических системах, голографические технологии защиты ценных бумаг и документов, лазерно-оптическое и научно-учебное приборостроение. Опубликовано более 400 научных работ, в том числе 3 монографии и 2 учебных пособия.

Дмитрий Владиславович Горбач – ассистент кафедры общей физики. Область научных интересов – динамическая голография и нелинейные взаимодействия световых пучков. Опубликовано 30 научных работ, в том числе учебное пособие и 14 статей в международных журналах.

Ормачеа Омар – кандидат физико-математических наук, заведующий кафедрой электроники и телекоммуникационных систем Universidad Privada Boliviana (Боливия). Область научных интересов – динамическая голография и нелинейная оптика. Опубликовано более 50 научных работ.

Олег Геннадьевич Романов – кандидат физико-математических наук, доцент кафедры лазерной физики и спектроскопии.

Область научных интересов – нелинейная оптика и взаимодействие лазерного излучения с веществом. Опубликовано более 100 научных работ, в том числе 50 статей, монография и учебное пособие.

Вестник БГУ. Сер. 1. 2011. № 3 УДК 621.315.592; 517.958:539.219.3 Ф.Ф. КОМАРОВ, А.Ф. КОМАРОВ, А.М. МИРОНОВ, Г.М. ЗАЯЦ, Ю.В. МАКАРЕВИЧ, С.А. МИСКЕВИЧ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ СУБМИКРОННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

ДЛЯ СИСТЕМ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Software for the simulation of low-energy implantation of dopant atoms in silicon structures and postimplantation rapid thermal annealing (RTA) of these structures have been developed. Software is integrated into the ATHENA simulation system, developed by Silvaco Inc., which made possible usage of our simulation results in the pass-through simulation of microelectronics technologies and devices, in particular, to simulate the electrical characteristics of submicron MOSFETs.

Одной из основных задач субмикронной технологии сверхбольших интегральных микросхем (СБИС) является получение мелкозалегающих p–n-переходов с необходимыми электрическими характеристиками и низкой концентрацией дефектов. Так, уменьшение длины канала в МОП-полевых транзисторах – лучший способ снижения потребляемой мощности и увеличения плотности упаковки элементов в интегральных схемах. Уменьшение глубины легированных областей позволяет устранить или минимизировать короткоканальные эффекты: нежелательную зависимость порогового напряжения от длины канала и напряжений смещения на электродах, высокие токи утечки, эффект горячих электронов, исток-стоковые пробойные явления (смыкание областей пространственного заряда).

Все эти эффекты связаны с малой длиной канала и сильно зависят от глубины залегания истоковых и стоковых p–n-переходов. Приемлемые характеристики в МОП-полевых транзисторах с коротким каналом могут быть достигнуты применением высоколегированных подложек либо, если уровень легирования подложек мал, формированием мелких p–n-переходов. Высокие уровни легирования базовых областей нежелательны, поскольку приводят к большим емкостям подложек и токам утечки. Поэтому предпочтительным является формирование мелких p–n-переходов в подложках с низким уровнем легирования. При создании локальных легированных областей элементов кремниевых СБИС основным технологическим процессом будет низкоэнергетическая (с энергиями 0,550 кэВ) ионная имплантация атомов примесей с последующими быстрыми термообработками. Сочетание такого рода имплантации и быстрого термического отжига (БТО) позволяет изготавливать приборы со сверхмалыми размерами переходов [14]. При таких технологиях характерно образование профилей примесей сложной конфигурации [5, 6].



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 8 |
 


Похожие работы:

«A/HRC/WG.6/23/LBN/1 Организация Объединенных Наций Генеральная Ассамблея Distr.: General 2 September 2015 Russian Original: Arabic Совет по правам человека Рабочая группа по универсальному периодическому обзору Двадцать третья сессия Женева, 2–13 ноября 2015 года Национальный доклад, представленный в соответствии с пунктом 5 приложения к резолюции 16/21 Совета по правам человека* Ливанская Республика * Настоящий документ воспроизводится в том виде, в каком он был получен. Его содержание не...»

«Основные сведения об Организации Объединённых Наций Основные сведения об Организации Объединённых Наций Основные сведения об Организации Объединённых Наций Департамент общественной информации Организации Объединённых Наций Нью-Йорк Основные сведения об Организации Объединенных Наций Перевод выполнен по тексту издания Департамента общественной информации ООН «Basic Facts about the United Nations» (2014), ISBN 978-92-1-101279-8. Настоящее русское издание не является официальным переводом ООН....»

«Дисциплина «Устойчивое развитие и социальная экология» Полный конспект лекций Тема 1. Предмет социальной экологии как современной междисциплинарной науки. Особенности социально-экологических исследований. План 1. Определение социальной экологии.2. Особенности социально-экологических исследований. Основные категории Социальная экология. Основное содержание темы Социальная экология — это научная дисциплина, изучающая закономерности совместного развития природы и общества. Социальная экология —...»

«Фергюс Хьюм Ричард Марш Джером Клапка Джером Артур Конан Дойл Гай Н. Бутби Уильям Эрнест Хорнунг Джек Лондон Роберт Ирвин Говард Роберт Льюис Стивенсон Генри Сетон Мерримен Эдгар Ричард Горацио Уоллес Джозеф Смит Флетчер Бертрам Флетчер Робинсон Жак Фатрелл Фрэнсис Брет Гарт Гилберт Кийт Честертон Редьярд Джозеф Киплинг Грегори Сквайрз Загадка золотого кинжала (сборник) http://www.litres.ru/pages/biblio_book/?art=12029269 Загадка золотого кинжала.: Книжный Клуб «Клуб Семейного Досуга»; Харьков;...»

«№ 2 (71) 28 февраля 2014 года АДМИНИСТРАЦИЯ БУЙСКОГО МУНИЦИПАЛЬНОГО РАЙОНА КОСТРОМСКОЙ ОБЛАСТИ ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 06 февраля 2014 года № 74 Об отмене постановлений от 11 мая 2012 года №348,01 октября 2012 года №729 В связи с вступлением в силу Федерального закона от 05.04.2013 года №44-ФЗ «О контрактной системе в сфере закупок товаров, работ, услуг для обеспечения государственных и муниципальных нужд», администрация Буйского муниципального района ПОСТАНОВЛЯЕТ: 1. Считать утратившим силу: 1.1....»

«Список монографий; сборников научных статей; научных статей, опубликованных в изданиях: РАН, рекомендованных ВАК, зарубежной печати за 2012 год ИМВЦ УНЦ РАН 1. В.А. Байков, И.М. Бураков, И.Д. Латыпов, А.А. Яковлев, Р.Н. Асмандияров. Контроль за развитием техногенных трещин авто-ГРП при ППД на месторождениях ООО «РН-Юганскнефтегаз» // Нефтяное хозяйство. 2012, № 11.2. О.М. Киселев. Зоопарк чудовищ или знакомство со специальными функциями. Уч. пособие. Риц. БашГУ. 2012. С. 104. ISBN...»

«ПРОЕКТ СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО КЛАСТЕРА «ФИЗТЕХ XXI» НА ПЕРИОД ДО 2025 ГОДА Долгопрудный Март 2013 г. СОДЕРЖАНИЕ ПАСПОРТ ВВЕДЕНИЕ РАЗДЕЛ 1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ Цели и задачи 1.1. Роль и место Кластера в инновационном развитии России 1.2. РАЗДЕЛ 2. АНАЛИЗ ТЕКУЩЕГО СОСТОЯНИЯ Основные участники и партнеры кластера 2.1. Научно-образовательный потенциал и кооперация участников Кластера. 20 2.2. География и инфраструктура Кластера 2.3. РАЗДЕЛ 3. СЦЕНАРИИ РАЗВИТИЯ КЛАСТЕРА Текущие...»

«Из решения Коллегии Счетной палаты Российской Федерации от 25 марта 2005 года № 12 (429) «О результатах проверки эффективности и целесообразности расходов государственных средств Тульской области, в том числе использования средств федерального бюджета, перечисленных бюджету Тульской области в 2004 году»: Утвердить отчет о результатах проверки. Направить представление Счетной палаты губернатору Тульской области. Направить информационные письма Министру финансов Российской Федерации и прокурору...»

«ПРОЕКТ Одобрена I Всероссийским съездом оценщиков 14марта 2013 г. КОНЦЕПЦИЯ Развития оценочной деятельности в Российской Федерации на среднесрочную перспективу 2013 – 2017 г.г. Москва 2013 г. Оглавление Оглавление ВВЕДЕНИЕ 1. КРАТКИЙ АНАЛИЗ ОСНОВНЫХ ЭТАПОВ РАЗВИТИЯ ОЦЕНОЧНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ В РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ В ПЕРИОД 1993 – 2013 Г.Г..6 2. АНАЛИЗ ПРИЧИН ВОЗНИКНОВЕНИЯ НЕГАТИВНЫХ ТЕНДЕНЦИЙ В ОЦЕНОЧНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ 3. ПРЕДЛОЖЕНИЯ ПО РАЗВИТИЮ ИНСТИТУТА САМОРЕГУЛИРОВАНИЯ В ОЦЕНОЧНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ....»

«Благодарность Эта книга стала результатом тяжелых работ и усилий многих людей так или иначе причастных к высшему образованию. Уже всем ученым было ясно, что Тюнинг в странах Латинской Америки станет как проектом, также и практическим опытом. Этот проект собрал воедино лучших представителей высшего образования для обсуждения наиболее значимых аспектов университетской системы с целью усовершенствования системы образования посредством обмена опыта с Западными странами. Таким образом, проект Тюнинг...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МОРСКОГО И РЕЧНОГО ФЛОТА ИМЕНИ АДМИРАЛА С. О. МАКАРОВА» ВЕСТНИК ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА МОРСКОГО И РЕЧНОГО ФЛОТА ИМЕНИ АДМИРАЛА С. О. МАКАРОВА Выпуск 6 (28) РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ • С. О. Барышников, д.т.н., проф. (главный редактор) • Т. А. Пантина, д.э.н., проф. (зам. гл. редактора) • О. К. Безюков, д.т.н., проф. • В. В. Веселков, д.т.н., проф. • П. А. Гарибин, д.т.н., проф. •...»

«Science Publishing Center «Sociosphere-CZ» Vitebsk State Medical University of Order of Peoples’ Friendship Penza State Technological University Tashkent Islamic University INFORMATIVE AND COMMUNICATIVE SPACE AND A PERSON Materials of the IV international scientic conference on April 15–16, 2014 Prague Informative and communicative space and a person : materials of the IV international scientic conference on April 15–16, 2014. – Prague : Vdecko vydavatelsk centrum «Sociosfra-CZ». – 202 р. –...»

«Из решения Коллегии Счетной палаты Российской Федерации от 29 ноября 2013 года № 49К (940) «О результатах контрольного мероприятия «Проверка состояния и развития минерально-сырьевой базы, эффективности использования недр и формирования доходов федерального бюджета от ее использования, соблюдения природоохранного законодательства в период 2007-2012 годов»: Утвердить отчет о результатах контрольного мероприятия. Направить представление Счетной палаты Министерству природных ресурсов и экологии...»

«Доклад о деятельности Уполномоченного по правам человека в Саратовской области в 2014 году РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ САРАТОВСКАЯ ОБЛАСТЬ ДОКЛАД О ДЕЯТЕЛЬНОСТИ УПОЛНОМОЧЕННОГО ПО ПРАВАМ ЧЕЛОВЕКА В САРАТОВСКОЙ ОБЛАСТИ В 2014 ГОДУ САРАТОВ Доклад о деятельности Уполномоченного по правам человека в Саратовской области в 2014 году Настоящий доклад подготовлен в соответствии со ст. 16 Закона Саратовской области №50-ЗСО от 12.10.1998 (ред. от 25.12.2014) «Об Уполномоченном по правам человека в Саратовской...»

«Книги, поступившие в библиотеки Централизованной библиотечной системы г. Апатиты в сентябре ноябре 2014 года.В списке использованы следующие сиглы: ОО – отдел обслуживания центральной городской библиотеки (Пушкина, 4, тел: 2-08-02) ГДЮБ городская детско-юношеская библиотека (Дзержинского, 53, тел.: 2-09-21) ГБ 1 городская библиотека №1 (Сидоренко, 30, тел.: 7-87-37) ГБ 2 городская библиотека № 2 (Зиновьева, 8, тел.: 2-06-60) ГБ 3 городская библиотека им. Л.А. Гладиной (Ленина, 24,тел.: 6-11-10)...»

«Российская ассоциация аллергологов и клинических иммунологов Утверждено Президиумом РААКИ 23 декабря 2013 г.ФЕДЕРАЛЬНЫЕ КЛИНИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО АНАФИЛАКТИЧЕСКОМУ ШОКУ Москва 2013г. Содержание 1. Методология.. 3 2. Определение.. 5 3. Профилактика..5 4. Скрининг..7 5. Классификация.. 7 6. Диагноз.. 8 7. Показания к консультации других специалистов. 11 8. Лечение..11 9. Чего нельзя делать.. 15 Список сокращений Н1-рецепторы – гистаминовые рецепторы 1 типа АСИТ аллерген-специфическая...»

«ОТЧЕТ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ САМООБСЛЕДОВАНИЯ ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ЧЕЛЯБИНСКИЙ ИНСТИТУТ ПЕРЕПОДГОТОВКИ И ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ РАБОТНИКОВ ОБРАЗОВАНИЯ» ЗА 2014 ГОД Общие сведения о государственном бюджетном I. образовательном учреждении дополнительного профессионального образования «Челябинский институт переподготовки и повышения квалификации работников образования» (ГБОУ ДПО ЧИППКРО) Государственное бюджетное...»

«Наталья Борисовна Правдина Везение на каждый день 2016 года. 366 практик от Мастера. Лунный календарь Серия «Совет на каждый день от Натальи Правдиной» http://www.litres.ru/pages/biblio_book/?art=11284079 Наталья Правдина. Везение на каждый день 2016 года. 366 практик от Мастера. Лунный календарь: АСТ; Москва; 2015 ISBN 978-5-17-091741-9 Аннотация Вместе с этой книгой к вам в дом войдет Госпожа Удача! Потому что у вас в руках календарь удачи, составленный Мастером привлечения удачи – Натальей...»

«СТЕНОГРАММА заседания Московской трехсторонней комиссии по регулированию социально-трудовых отношений 26 февраля 2015 г. _ У нас награда есть Чистякову.ПРЕДСЕДАТЕЛЬСТВУЮЩИЙ Л.М. ПЕЧАТНИКОВ Ну, давайте с этого начнм. Начнм с приятного. Александра Васильевича Чистякова профсоюзы решили наградить. Ну, чего-то особенно дорого, я так чувствую, мы от них не дождемся, но, тем не менее, приятная награда. Сергей Иванович, прошу, Александр Васильевич здесь, скажите хоть два слова. С.И. ЧЕРНОВ Спасибо,...»

«Извещение о закупке № Наименование пункта Текст пояснений п/п Закупка у единственного подрядчика – ООО «Газпром межрегионгаз Краснодар» Основание: 19.2.10 Положения о закупке товаров, работ, услуг ОАО «НСРЗ» 19.2.10 если необходимо проведение дополнительной закупки, фактическое продление оказания услуги, а также Способ закупки 1. сопутствующих товаров, работ и услуг, и смена поставщика нецелесообразна по соображениям стандартизации или ввиду необходимости обеспечения непрерывности...»








 
2016 www.nauka.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.