WWW.NAUKA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, издания, публикации
 


Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 17 |

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» (ФГБОУ ВПО «ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ...»

-- [ Страница 1 ] --

Министерство образования и науки Российской Федерации

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ

УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

(ФГБОУ ВПО «ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»)

УДК: 539.23; 621.315.592; 621.3.082.8

№ госрегистрации

Инв.№

УТВЕРЖДАЮ

Проректор по научной работе и инновационной деятельности ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет»

д-р техн. наук, профессор ________________ И.И. Артёмов 03.11.2011 ОТЧЕТ

О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ

Мультисенсоры на основе пористых наноструктурированных материалов по теме:

ВЫБОР НАПРАВЛЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ

(промежуточный) ГК № 07.514.12.4014 от 06.10.2011, Шифр: 2011-1.4-514-126-026 Научный руководитель заведующий кафедрой нано- имикроэлектроники, д-р техн. наук, профессор ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет» ______________________ И.А. Аверин подпись, дата Нормоконтролер ______________________ Т.Н. Рыжова подпись, дата Пенза 2011

СПИСОК ИСПОЛНИТЕЛЕЙ

Руководитель темы, заведующий кафедрой НиМЭ ПГУ д.т.н., профессор _______________ И.А. Аверин (разделы 1, подпись, дата 3, 4, 6) Ответственный исполнитель, доцент кафедры НиМЭ ПГУ, к.т.н. _______________ Ю.В. Аношкин подпись, дата (разделы 4) Исполнители темы доцент кафедры НиМЭ ПГУ ________________ В.Б. Абрамов подпись, дата (раздел 7) доцент кафедры микро- и, наноэлектроники «Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина)», к.ф.-м.н., доцент _______________ О.А. Александрова подпись, дата (разделы 1, 3) доцент кафедры НиМЭ ПГУ, к.т.н. ________________ Ю.А. Вареник

–  –  –

РЕФЕРАТ

Отчет 542 с., 11 ч., 106 рис., 35 табл., 422 источника, 1 прил.

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СЕНСОРОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОКСИДЫ МЕТАЛЛОВ, ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ, ТОЛСТОПЛЕНОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ, КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ, ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИЯ, КОМПОЗИЦИОННЫЕ

МАТЕРИАЛЫ, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ, МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВ КОМПОЗИЦИОННЫХ

МАТЕРИАЛОВ.

Объектом исследования являются газочувствительные пленки и чувствительные элементы сенсоров на их основе.

Цель работы (первый этап) – провести аналитический обзор современной научно-технической, нормативной и методической литературы, связанный с методами получения, исследования свойств композиционных материалов и чувствительных элементов сенсоров на их основе, моделями формирования материалов, способов изготовления газочувствительных пленок и чувствительных элементов сенсоров на их основе, а также устройств элементов газочувствительных сенсоров.

На данном этапе выполнения НИР произведено обоснование выбора среды анализируемой сенсором, композиционных материалов для чувствительных элементов газовых сенсоров, методов и способов формирования композиционных материалов и сенсоров на их основе, методов и средств исследования свойств материалов, параметров чувствительных элементов сенсоров, моделей формирования и свойств композиционных материалов на низкоразмерном уровне, конструкции газовых сенсоров

В результате анализа методов получения полупроводниковых пленок оксидов металлов для газовых сенсоров, проведенного в разделе 1, сформулированы следующие основные выводы:

1) необходимо проводить поиск новых и совершенствование используемых технологий получения газочувствительных пленок чувствительных элементов;

2) необходимо оптимизировать качественный и количественный состав каталитической примеси;

3) газочувствительность пленок зависит от степени развитости поверхности (отношения площади кристаллитов или кластеров к их объему) и чистоты поверхности с точки зрения ее адсорбционной способности;

4) в последние годы особое внимание привлекают методы, позволяющие получать пленки, состоящие из наноразмерных образований газочувствительного материала (или включающие в себя таковые);

5) на современном этапе методы получения полупроводниковых газочувствительных пленок на основе оксидов металлов должны обеспечить следующие показатели: воспроизведение заданного стехиометрического состава, технологическая воспроизводимость результатов синтеза пленок, возможность легирования и равномерного распределения каталитической примеси, получение пленок с максимально возможной «адсорбционной поверхностью», получения материала с контролируемым размером наноразмерных кластеров, возможность контролируемого изменения средних размеров кристаллитов или наноразмерных кластеров, внедрения в массовое промышленное изготовление изделий;

6) пленки полупроводниковых оксидов металлов получают различными способами: напыление в вакууме физическими методами, трафаретная печать, анодирование, химическое осаждение;

7) перспективным неразрушающим методом для анализа качественного и количественного состава исследуемых образцов, динамических процессов формирования материалов является ИК спектрометрия, основанная на исследовании колебательного спектра молекул.

8) проанализированы основные методы исследования морфоструктуры материалов, к которым относятся растровая электронная микроскопия, сканирующая зондовая микроскопия, оптическая микроскопия, рентгеновская топография, электронная микроскопия. Методы сканирующей зондовой микроскопии можно разделить на три группы: сканирующая туннельная микроскопия;

атомно-силовая микроскопия и ближнепольная оптическая микроскопия.

9) при разработке методики получения чувствительных элементов газовых сенсоров необходимы исследования их электрических характеристик, которые включают измерения комплексного сопротивления диэлектрической проницаемости.

10) использование четырёхзондового метода и специальной схемы измерения позволяет определить удельное сопротивление чувствительных элементов газовых сенсоров без использования прецизионных формирователей напряжения и токов.

11) проанализированы электрические, радиофизические и оптические методы измерения диэлектрической проницаемости композиционных материалов.

12) для исследования диэлектрических свойств материалов, используемых в газовых сенсорах, применяют, в основном, электрические методы измерения диэлектрической проницаемости, которые позволяют оценить диэлектрические свойства материалов в рабочем диапазоне частот.

Кроме того, анализ моделей формирования композитных материалов на наноразмерном уровне (п. 1.3) показал, что:

1) процесс получения нанодисперсных матриц кремнезёма может быть осуществлён только методами химической конденсации;

2) в качестве исходного сырья возможно использовать минеральные силикаты или эфиры ортокремниевой кислоты;

3) реализация метода химической конденсации проводится по «золь – гель» технологии, которая позволяет нанодисперсные системы широкого спектра размеров и свойств;

4) наиболее распространены следующие методы золь-гель технологии:

гидролиз соли металла при повышенных температурах, частичная нейтрализация соли металла с образованием стабильного гидрозоля, полная нейтрализация соли металла с последующим промыванием и пептизацией осадка с образованием стабильного гидрозоля; гидролиз металлоорганических соединений (в частности алкоксидов);

5) протекание каждой стадии золь-гель технологии зависит от многих факторов и требует тщательного подбора сырья, соотношения реагентов, времени, реакции, условий проведения реакции;

6) анализ экспериментальных данных показал, что минеральные силикаты не в полной мере отвечают требованиям, предъявляемым при получении наноразмерных сенсорных матриц кремнезёма (гели диоксида кремния, полученные из минерального сырья обладают повышенной вязкостью, а при получении ксерогеглей требуют повышенной температуры, причем перевод гелей в ксерогели сопровождается растрескиванием исходной матрицы);

7) оптимальное сочетание режимом получения и свойств полиоксида кремния имеет место, когда исходным сырьём выступает органические эфира ортокремниевой кислоты. В этом случае удаётся получать высококонцентрированные и устойчивые гели диоксида кремния, обладающие относительно невысокой вязкостью. Это обеспечивает получения тонких плёнок геля на твёрдых положках;

8) из широкого набора алкооксисиланов лучшие результаты в синтезе полиоксида кремния получаются при использовании в качестве кремнийорганического исходного материала тетраэтоксисилана.

При анализе рынка газовых сенсоров результаты и выводы носят следующий характер:

1) определены основные зарубежные и отечественные производители газовых сенсоров. Проанализирована выпускаемая ими продукция.

2) установлен мировой лидер в инновациях газовых сенсоров - японская компания «Figaro».

3) проанализирован объем продаж продуктов нанотехнологий с 2009 года и составлен прогноз до 2015 года. К самому крупному сегменту нанотехнологий относятся наноматериалы - вещества и композиции веществ, представляющие собой естественно или искусственно упорядоченные или неупорядоченные системы с нанометрическими характеристическими размерами и устройства на их основе.

4) исследован мировой рынок газовых сенсоров, включая вторичный рынок измерителей концентрации газа. Установлена динамика его развития, которой отвечает ежегодный прирост рынка в среднем 5,9 %.

Патентные исследования по ГОСТ 15.011-96 способов изготовления газочувствительных пленок и чувствительных элементов сенсоров на их основе, а также устройств элементов газочувствительных сенсоров представлены в Приложении 1. Основные результаты в разделе 2.

1) Регламент поиска выполнен полностью в соответствии с заданием №1 на проведение патентных исследований.

2) Достигнута цель поиска информации в соответствии с промежуточным этапом по теме «Выбор направления исследования».

3) Выявлена необходимость исследования патентной чистоты объекта разработки на заключительном этапе работы.

4) Патентные исследования показали, что перспективным направлением исследований является разработка мультисенсоров на основе пористых наноструктурированных материалов.

5) С учетом технического уровня и тенденций построения газовых сенсоров конструкцию газового датчика на SnO2 целесообразно реализовать на мембранах из пористого алюминия, пористого тантала, пористого SiO2+Si3N4 с использованием золь-гель технологии нанесения чувствительного слоя или технологии пиролиза.

6) Для контактов чувствительного элемента целесообразен выбор следующих материалов: платина, золото или нихром. В качестве материала нагревателя оправдано использование материала чувствительного элемента.

В разделе 3, где проведено рассмотрение и выбор анализируемой среды, сформулированы следующие выводы:

1) диоксид титана используется в качестве чувствительных элементов датчиков и мультисенсоров для определения концентрации вредных и опасных веществ как HC, CO и NOx (рабочие температуры таких датчиков составляют от 750 до 900 оС);

2) чувствительные элементы датчиков и мультисенсоров на основе оксида олова применяются для контроля концентрации угарного газа, аммиака, сероводорода при температурах нагревателя 100-400 оС;

3) для определения концентрации газов, в основном, кислорода в многокомпонентных агрессивных жидких и газовых средах применяются чувствительные элементы датчиков и мультисенсоров на основе оксида циркония (рабочие температуры этих сенсоров достигают 500-1000 оС);

4) чувствительные элементы датчиков и мультисенсоров на основе оксида вольфрама применяются для контроля концентрации СО, H2S, NO2, О3, СН4 и NO при рабочих температурах от 100 до 500 оС;

5) диоксид олова используется в качестве чувствительных элементов датчиков и мультисенсоров для определения концентрации пропана, изобутана, метана, сжиженного нефтяного газ, окиси углерода, водорода, этанола (температуры нагревателя составляют от 60 до 400 оС);

6) датчики и мультисенсоры на основе полимеров (рабочие температуры таких сенсоров составляют около 200 оС) используются для измерения содержания влаги в газах, концентрации кислорода, двуокиси азота, сероводорода, аммиака, спирта в газовой фазе, ионов свинца, кадмия и меди в концентрациях от 110-5 до 110-9 моль/л, белков, лекарственных препаратов, витаминов, биологически активных соединений, включая пестициды и т.д.

7) создание чувствительных элементов сенсоров для детектирования метана и паров этанола обеспечит широкий спектр их применения в таких областях, как горно-, нефтедобывающая промышленность, энергетика, металлургия.

жилищно-коммунальное хозяйство, медицина и т.д.

По результатам обзора характеристик материалов (раздел 4) можно сделать следующие выводы.

1. Диоксид титана используется в качестве чувствительных элементов датчиков и мультисенсоров для определения концентрации вредных и опасных веществ как HC, CO и NOx. Рабочие температуры таких датчиков составляют от 750 до 900 оС.

2. Чувствительные элементы датчиков и мультисенсоров на основе оксида олова применяются для контроля концентрации угарного газа, аммиака, сероводорода при температурах нагревателя 100-400 оС.

3. Для определения концентрации газов, в основном, кислорода в многокомпонентных агрессивных жидких и газовых средах применяются чувствительные элементы датчиков и мультисенсоров на основе оксида циркония. Рабочие температуры этих сенсоров достигают 500-1000 оС.

4. Чувствительные элементы датчиков и мультисенсоров на основе оксида вольфрама применяются для контроля концентрации СО, H2S, NO2, О3, СН4 и NO при рабочих температурах от 100 до 500 оС.

5. Диоксид олова используется в качестве чувствительных элементов датчиков и мультисенсоров для определения концентрации пропана, изобутана, метана, сжиженного нефтяного газ, окиси углерода, водорода, этанола. Температуры нагревателя составляют от 60 до 400 оС.

6. Датчики и мультисенсоры на основе полимеров используются для измерения содержания влаги в газах, концентрации кислорода, двуокиси азота, сероводорода, аммиака, спирта в газовой фазе, ионов свинца, кадмия и меди в концентрациях от 110-5 до 110-9 моль/л, белков, лекарственных препаратов, витаминов, биологически активных соединений, включая пестициды и т.д. Типичные рабочие температуры таких сенсоров составляют около 200 оС.

Выводы, полученные в разделе 5, определяют выбор методов, способов и средств формирования и исследования композиционных материалов и сенсоров на их основе.

1. Проанализированы особенности хеморезистивного эффекта в полупроводниках, влияние геометрии и микроструктуры газочувствительных полупроводников на условия хемосорбции газов на их поверхности и электронный транспорт в объеме.

2. Показано, что электрофизические свойства газочувствительных полупроводников модифицируются с помощью "поверхностного" или "объемного" легирования. Вклад каждого из этих механизмов определяется процессами в системе легирующий материал-полупроводник, которые, в свою очередь, задаются условиями работы и изготовления структур. Механизм газовой чувствительности гетероструктур SnO2/Si и SnO2(Me)/Si связан с изменением высоты барьера на гетерогранице SnO2 - Si и модификацией плотности поверхностных состояний.

3. Для дифференциации локальных свойств сенсорных сегментов газочувствительной пленки предлагается применение вариаций внешне индуцированных или «внутренних» факторов:

1) нанесение мембранного покрытия Si02 варьируемой толщины поверх газочувствительной пленки;

2) вариация толщины газочувствительной оксидной пленки.

4. Исследование физико-химических, электрофизических и газочувствительных характеристик нанокомпозитных пленок SiO2—SnOx— CuOy показало, что для них справедлив полупроводниковый характер проводимости с энергией активации 0,15...0,17 эВ и шириной запрещенной зоны 0,34...0,5 эВ. Концентрация носителей заряда составляет (6...7)1015 см-3.

5. Газочувствительные характеристики при температурах нагрева 100...200 °C проявляются для диоксида азота и зависят от атомарного соотношения Sn/Cu в пленке ГЧМ и от температуры ее отжига. Сенсоры диоксида азота, изготовленные на основе пленок ГЧМ состава SiO2—SnOx—CuOy, имеют динамический диапазон 0...50 ррт при рабочих температурах 100, 150 °C и 0...70 ррт при рабочих температурах 200 °C. При этом наблюдается отсутствие влияния влаги на результаты измерений.

6. Вариация внутренних свойств или внешне индуцированные изменения условий работы хеморезистивных неорганических полупроводников позволяют управлять селективностью их отклика к газу, и, соответственно, формировать на их основе (в т.ч. однокристальные) мультисенсорные системы для приборов «электронный нос».

7. Получение газочувствительных пленок золь-гель методом, является, на сегодняшний день, наиболее перспективным направлением получения материла чувствительных элементов полупроводниковых газовых датчиков.

8. Выбор оптимальных значений параметров при использовании методов векторной оптимизации в общем случае включает три этапа: определение частных показателей и критериев эффективности; нахождение множества Парето;

устранение многокритериальности.

9. Исследования с использованием Фурье-спектрометра обеспечат изучение динамических процессов образования композиционных материалов, их состава на различных стадиях формирования золь-гель методом.

10. Применение сканирующей зондовой микроскопии позволит определить параметры морфоструктуры композиционных материалов для различных условий синтеза.

11. Результаты исследований, полученные с использованием Фурьеспектрометра и атомно-силового микроскопа, будут положены в основу теоретических моделей формирования композиционных материалов на низкоразмерном уровне.

12. Измерения частотных и температурных зависимостей сопротивления и емкости газочувствительных пленок и чувствительных элементов сенсоров позволят исследовать важный параметр газовых сенсоров – чувствительность, а также физические процессы, протекающие в них при различных температурах и частотах.

Выбор моделей формирования и свойств композиционных материалов (раздел 6) основан на следующих выводах:

1) сложность и многостадийность процесса золь – гель технологии требует для его описания применения нескольких разноплановых моделей.

2) для оценки термодинамических и кинетических процессов целесообразно применение синергетической модели гелеобразования матрицы кремнезёма.

3) на стадии формирования золей при протекании химических реакций, начальной коагуляции и формировании фрактальных агрегатов наиболее применима фрактальная модель гелеобразования.

4) для описания процесса формирования геля полиоксида кремния в концентрированных золях целесообразно использовать перколяционную модель.

5) перколяционная модель позволяет, кроме того, описывать взаимодействие газов с пористыми нанокомпозитными слоями.

6 зависимость отклика газочувствительной пленки Sn02:Cu нелинейна от концентрации газа. В широком диапазоне концентраций (или парциального давления) газа эта зависимость следует изотерме Волькенштейна. Степенная зависимость отклика от концентрации газа с некоторым постоянным показателем степени возможна только в ограниченном диапазоне концентраций. Этот вывод подтверждается расчетами, выполненными на основе электронной теории адсорбции в приближении плоских зон.

7) показано, что положение максимума на зависимости отклика пленки Sn02:Cu от ее толщины и уровня легирования определяется не только параметрами пленки, но и сортом газа.

8) механизм газовой чувствительности гетероструктур SnO2/Si и SnO2(Me)/Si связан с изменением высоты барьера на гетерогранице SnO2 - Si и модификацией плотности поверхностных состояний.

При анализе конструкций и характеристик газовых датчиков (раздел 7) получены следующие выводы:

1) для увеличения газочувствительности необходимо иметь толщину чувствительного слоя в пределах 400–600 нм (для этих целей подходят все методы, кроме толстопленочной технологии) и уменьшать размеры зерна наночастиц в чувствительном элементе сенсора;

2) необходимо увеличивать размеры чувствительного слоя за счет развитости размеров подложки;

3) для увеличения чувствительности необходимо использовать легирующие присадки;

4) для улучшения селективности необходимо управлять скоростью нагрева и поддерживать заданную температуру;

5) для снижения энергопотребления сенсоров необходимо переходить на мембранную технологию, уменьшать размеры чувствительного элемента, применять импульсный нагрев;

6) для обеспечения высокой чувствительности, селективности и снижения энергопотребления необходимо использовать подложки толщиной не более 2 мкм (для этих целей лучше всего подходят конструкции мембранного типа с использованием микрофольговых или мембран SiO2+Si3N4);

7) технологичность определяется объемом выпуска датчиков и следовательно использование полупроводниковой технологии оправдано при выпуске более ста тысяч штук, а при меньшей партии лучше использовать конструкции мембранного типа с использованием микрофольговых мембран или мембран SiO2+Si3N4;

8) конструкцию газового датчика на SnO2 можно реализовать на мембранах из пористого алюминия, пористого тантала, пористого SiO2+Si3N4 с использованием золь-гель технологии нанесения чувствительного слоя или технологии пиролиза;

9) в качестве материала нагревателя оправдано использование материала чувствительного элемента;

10) контакты к чувствительному элементу целесообразно изготавливать из платины, золота или нихрома.

Полученные результаты имеют область применения для дальнейшего их использование на последующих этапах и НИР в целом.

В дальнейшем они будут использованы при разработке моделей формирования композиционных материалов на основе SiO2 – SnO2 с заданными свойствами и методики получения газочувствительных элементов сенсоров, а также при создании автоматизированного стенда для исследования характеристик чувствительных элементов газовых сенсоров. Чувстительные элементы полупроводниковых сенсоров, которые планируется изготовить на последнем этапе НИР, могут быть использованы во многих важнейших отраслях производства сферах жизнедеятельности человека: угледобывающая и нефтеперерабатывающая промышленности, медицина, транспорт, противопожарная безопасность, экологический мониторинг окружающей среды и промышленных зон и т.д.

Результаты исследований и выводы, полученные в разделах 1 – 3 и 5 – 6, необходимы для выполнения второго и третьего этапов и являются основой для решения следующих ниже приденных задач.

1. Исследование природы объекта НИР, в том числе:

1) исследование факторов, влияющих на условия формирования композиционных материалов;

2) оптимизация технологических режимов формирования композиционных материалов.

2. Реализация результатов теоретических исследований, в том числе:

1) описание технологического оборудования, используемого при синтезе композиционных материалов SiO2-SnO2;

2) разработка инструкции получения композиционных материалов SiO2SnO2.

3. Экспериментальное получение по разработанной инструкции композиционных материалов SiO2-SnO2.

4. Экспериментальное получение по разработанной инструкции чувствительных элементов сенсоров на основе композиционных материалов SiO2SnO2.

Результаты исследований и выводы, полученные в разделах 4 – 5 и 7, необходимы для решения ниже приденных задач второго и третьего этапов.

1. Исследование природы объекта НИР, в том числе:

1) разработка моделей формирования композиционных материалов на низкоразмерном уровне;

2) исследование кинетики коагуляции коллоидных систем;

3) исследование нуклеофильного распада коллоидных растворов;

4) исследование спинодального распада коллоидных растворов.

2. Разработка теории функционирования объектов НИР, в том числе:

1) расчет констант равновесия химических реакций на поверхности композиционного материала;

2) исследование процессов адсорбции и десорбции газов на поверхности пленок;

3) моделирование газочувствительности композиционных материалов.

3. Моделирование объекта исследований, в том числе:

1) морфоструктуры композиционных материалов от условий получения с использованием систем математических вычислений;

2) влияния условий получения газочувствительных материалов на выходные параметры сенсоров с использованием систем математических вычислений.

4. Сравнение результатов теоретических исследований по развитию основ получения композиционных материалов SiO2-SnO2 с экспериментальными данными.

Выводы и основные результаты исследований, полученные в разделах 4 – 5, позволяют решить ниже приденные задачи второго и третьего этапов.

1. Исследование методов контроля и диагностики свойств композиционных материалов и сенсоров на их основе (атомно-силовая микроскопия, Фурьеспектрометрия, методы для исследования сопротивления и емкости сенсоров).

2. Разработка и изготовление автоматизированного исследовательского стенда для измерения характеристик газовых сенсоров.

3. Исследование динамики коагуляции золей и их конечного качественного анализа с применением Фурье-спектрометра.

4. Реализации результатов теоретических исследований, в том числе:

1) разработка инструкции визуализации массивов изображений, полученных на атомно-силовом микроскопе, с помощью программных средств;

5) разработка инструкции обработки спектров с помощью программных средств для качественного и количественного анализа свойств композитных материалов с использованием Фурье-спектрометра.

5. Разработка комплекта технической и программной документации автоматизированного исследовательского стенда для измерения характеристик газовых сенсоров.

6. Исследование температурных и частотных зависимостей сопротивления и емкости чувствительных элементов сенсоров.

Экономическая значимость работы подтвеждается проведенным анализом растущего рынка сбыта газовых сенсоров. Существующие технологические проблемы (раздел 1) и неудовлетворительные технические характеристики по отношению к современным требованиям к газовым датчикам (раздел 7) подтвержают перспективность внедрения ожидаемых результатов НИР.

Таким образом, проведенное исследование позволяет конкретизировать задачи основных разделов следующих этапов проведения НИР.

СОДЕРЖАНИЕ

НОРМАТИВНЫЕ ССЫЛКИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

ВВЕДЕНИЕ

–  –  –

НОРМАТИВНЫЕ ССЫЛКИ

В настоящем отчете о НИР использованы ссылки на следующие стандарты.

ГОСТ 2.102-68 – Единая система конструкторской документации.

Виды и комплектность конструкторских документов.

ГОСТ 2.105-95 – Общие требования к текстовым документам.

ГОСТ 2.111-68 – Единая система конструкторской документации.

Нормоконтроль.

ГОСТ 7.3-2001 – Электронные издания.

Основные виды и выходные сведения.

ГОСТ 7.32-2001– Отчет о научно-исследовательской работе.

Структура и правила оформления.

ГОСТ 7.82-2001 – Библиографическая запись.

Библиографическое описание электронных ресурсов. Общие требования и правила составления.

ГОСТ 7.9-95 – Система стандартов по информации, библиотечному и издательскому делу.

Реферат и аннотация. Общие требования.

ГОСТ 15.011-96 – Система разработки и постановки продукции на производство.

Патентные исследования. Содержание и порядок проведения.

20 ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

АСМ - атомно-силовая микроскопия ВАХ - вольт-амперные характеристики ВФХ - вольт-фарадные характеристики ВЧ - высокочастотный ГЧМ - газочувствительный материал ДШ - диод Шоттки ИНЧ - инфранизкочастный КИИУТ – Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий филиал ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет»

МДП - металл-диэлектрик-полупроводник НиМЭ – нано- и микроэлектроника НЧ - наночастица ОПЗ - область пространственного заряда ОУ - операционных усилителей ПГУ – Пензенский государственный университет ПАВ - поверхностно-активные вещества ПЗС - прибор с зарядовой связью ПЯГК - полиядерные гидроксокомплексы РДМ - рентгеновска дифракционна микроскопия РЭМ - растровая электронная микроскопия СВЧ - сверхвысокочастотный СЗМ - сканирующая зондовая микроскопия СТМ - сканирующая туннельная микроскопия ТЭОС - тетраэтоксисилана ТЭС – теплоэлектростанции ФТС - формирователь тестового сигнала ХМЭ - химически модифицированные электроды ЭП - электропроводящие полимеры 21

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В настоящее время газовые датчики и сенсоры активно применяются практически во всех отраслях промышленности, транспорта, а также в сельском хозяйстве и медицине. Газовые датчики составляют основу для создания систем противопожарной и экологической безопасности. В ряде отраслей (таких как угледобывающая промышленность и др.) без газовых датчиков и сенсоров уже невозможно обеспечить требуемый уровень безопасности объектов. До сих пор остается актуальной задача обеспечения безопасности людей и объектов от террористической угрозы на предмет раннего обнаружения взрывчатых веществ. Существующие сенсоры не отличаются высокой селективностью даже у передовых зарубежных фирм. Классическим способом повышения селективности и чувствительности является применение каталитических добавок (платина, палладий, золото, медь, вольфрам, окислы лантаноидов, и т.д.) и подбор рабочей температуры ЧЭ. Эти способы дают возможность селективно выделить газы, отличающиеся по концентрации не более чем на 1-2 порядка, а это очень мало для соотношения газов в реальной атмосфере жилого помещения. По этой причине 80% сенсоров используются для оценки общего загрязнения воздуха, как индикаторы, в системах включения систем воздухоочистки.

Оценка современного состояния решаемой научно-технической проблемы. Объем производства газовых датчиков ежегодно увеличивается, постоянно расширяется номенклатурный ряд этих устройств. Это свидетельствует об увеличении потребности этих устройств в различных областях жизнедеятельности человеческого общества. Постоянно повышаются и требования к этим устройствам. Перед исследователями и разработчиками газовых сенсоров формулируются новые задачи, связанные с применением газоаналитических систем. Так, например, в последние годы ставится задача разработки мультисенсорной газоаналитической системы для распознавания запахов (так называемы «электронный нос»).

22 Новизна темы. Обоснование необходимости проведения НИР Повышение требований к измерительным и сигнальным датчикам, а также возникновение новых задач, связанных с использованием газовых сенсоров, стимулирует проведение масштабных исследований в направлении поиска новых и оптимизации существующих технологий получения газочувствительных материалов.

Поэтому не случайно для решения подобного рода задач все чаще обращаются к исследованиям, связанным с поиском методов и изучения свойств материалов на наноразмерном уровне. В случае успеха, появляется возможность управления наноструктурой материала чувствительного элемента сенсора и выявления новых эффектов наномасштабирования. Это позволит получить качественно новые показатели газовых сенсоров и создаст основу для формирования мультисенсорных газоаналитических систем.

Формирование наноструктурированного материала чувствительного элемента газового сенсора предполагается реализовать на основе перспективной золь-гель технологии, которая позволяет получить нанокомпозиты в системе диоксид олова – диоксид кремния.

Целью проведения первого этапа НИР является анализ современной научно-технической, нормативной и методической литературы, связанный с методами получения; исследование свойств композиционных материалов и сенсоров на их основе, моделей формирования материалов, методов и способов изготовления газочувствительных пленок и чувствительных элементов сенсоров на их основе, а также устройств элементов газочувствительных сенсоров;

формирование теории для разработки методов создания наноструктурированных материалов для использования их в качестве чувствительных элементов газовых сенсоров нового поколения.

Для формирования сведений о планируемом научно-техническом уровне разработки проведены патентные исследования, которые включали в себя:

1) исследование технического уровня и выявление тенденций развития методов создания композиционных материалов (включая SiO2–SnO2) для использования их в качестве чувствительных элементов газовых сенсоров нового поколения;

2) исследование технического уровня и выявление тенденций развития способов изготовления газовых сенсоров на основе SiO2–SnO2 ;

3) исследование технического уровня, выявление тенденций развития и способов совершенствования устройств газовых сенсоров, в том числе на основе SiO2–SnO2;

4) отбор наиболее значимых изобретений из числа запатентованных в ведущих странах мира, выводы и оформление форм к разделам основной части отчёта о патентных исследованиях.

Результаты исследований должны послужить основой для разработки:

1) инструкции по получению наноматериалов SiO2-SnO2 с заданными свойствами;

2) инструкции по получению газовых сенсоров на основе композитных материалов SiO2-SnO2 с характеристиками на уровне известных аналогов;

3) теории образования и свойств композиционных материалов;

4) методики получния тонких плёнкок композиционных материалов на основе SiO2-SnO2;

5) технического задания на изготовление автоматизированный исследовательский стенд для измерения характеристик газовых сенсоров.

Патентные исследования привели к следующим выводам:

1) перспективным направлением исследований является разработка мультисенсоров на основе пористых наноструктурированных материалов;

2) с учетом технического уровня и тенденций построения газовых сенсоров конструкцию газового датчика на SnO2 целесообразно реализовать на мембранах из пористого алюминия, пористого тантала, пористого SiO2+Si3N4 с использованием золь-гель технологии нанесения чувствительного слоя или технологии пиролиза;

3) для контактов чувствительного элемента целесообразен выбор следующих материалов: платина, золото или нихром;

4) В качестве материала нагревателя оправдано использование материала чувствительного элемента.

Результатами исследования является выбор среды анализируемой сенсором, композиционных материалов для чувствительных элементов газовых сенсоров, методов и способов формирования композиционных материалов и чувствительных элементов сенсоров на их основе, методов и средств исследования свойств материалов, параметров сенсоров, моделей формирования и свойств композиционных материалов на низкоразмерном уровне, оптимальной конструкции газовых сенсоров.

Сформированный в ходе первого этапа НИР научно-технический задел ориентирован на получение полимерных композитных материалов на основе SiO2-SnO2 и чувствительных элементов газовых сенсоров с их использованием.

Полученные результаты позволяют сформулировать и уточнить основные цели и задачи проведения последующих этапов НИР.

1 Аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы

1.1 Получение пленок оксидов металлов для газовых сенсоров Вакуумные методы получения тонких пленок наибольшее распространение, в рамках тонкопленочной технологии, получили вакуумные методы осаждения [1-15]. Все вакуумные методы осаждения вещества можно классифицировать на две основные группы: осаждение паров из молекулярного и ионного потоков. Для реализации этих методов используют вакуумные установки. Если осаждение происходит в среде химически активного газа, то такое напыление называют реактивным.

–  –  –

где Н – изменение энтальпии; S – изменение энтропии; ср – изменение теплоемкости при постоянном давлении.

Из уравнения (1.1) следует, что даже при не ограниченной мощности подвода тепла скорость испарения имеет предельное значение:

dN max 0, 5 2 р m A kT p, (1.3) S dt где dNmax – максимальное число частиц, покидающих поверхность жидкости за время dt.

Уравнение Герца – Кнудсена применимо также для описания испарения со свободной поверхности в вакууме (сублимации), так как при давлении остаточного газа менее 1 мм рт.ст. процесс сублимации соответствует условию (1.3).

Испарители поверхностного типа должны быть изготовлены из проводниковых материалов, а проволочные, кроме того, должны хорошо смачиваться испаряемым веществом. Наиболее часто для этих целей применяют тугоплавкие металлы: вольфрам, молибден и тантал. В исключительных случаях – никель и хромель. Тигли изготавливают на основе тугоплавких окислов (кварц, алунд, ThO2, BeO, ZrO2) и графита, а их нагреватели – вольфрама и тантала.

Электронно-лучевое испарение основано на интенсивном преобразовании кинетической энергии электронов в тепловую энергию приповерхностных атомов испаряемого вещества. В результате нагрева облучаемой поверхности материала до температуры испарения она становится источником пара. Испаритель состоит из электронно-лучевой пушки и тигля, который при необходимости дополняется устройством подпитки материала.

В качестве тиглей электронно-лучевых испарителей используют медные водоохлаждаемые конструкции, которые могут иметь керамическую вставку.

Для повышения скорости испарения и равномерности потока пара, процесс напыления желательно проводить при непрерывном вращении тигля. Покачивание (сканирование) электронного пучка вдоль поверхности испарения позволяет предотвратить разбрызгивание вещества и попадание капельной фазы на подложку.

При получении многослойной тонкопленочной структуры применяют электронно-лучевые испарители с блоком тиглей. В таких испарителях отдельные тигли, перемещаясь по прямой или окружности, поочередно устанавливаются в рабочую позицию. В другом варианте поочередное испарение осуществляют управлением траекторией электронного пучка пушки.

Конструкции электронно-лучевых пушек достаточно разнообразны. В общем случае они состоят из вольфрамового катода, анода, управляющего электрода, электростатических и магнитных линз. Все конструкции делятся на две основные группы:

1) трехэлектродные (с независимым анодом);

2) с зависимым (испаряемым) анодом.

В электронно-лучевых пушках с испаряемым анодом наиболее часто применяют конструкции с кольцевым катодом, внутри которого расположен заземленный тигель, выполняющий функцию анодного электрода. Это позволяет располагать подложку параллельно поверхности испарения, а траектория движения электронов пучка задается формой управляющего электрода.

Несмотря на относительную простоту и удобство испарителей на основе электронно-лучевых пушек с зависимым анодом, они имеют ряд следующих недостатков [1-17]:

1) возникновение тлеющего газового разряда при высоких скоростях испарения, которое затрудняет управление мощностью электронного пучка и снижает коэффициент полезного действия испарителя;

2) загрязнение катодных экранов и управляющего электрода испаряемым веществом.

Указанных недостатков лишены испарители на основе электроннолучевых пушек с независимым анодом. Они относятся к длиннофокусным генераторам электронных пучков и позволяют получать малый диаметр луча с высокой плотностью электронного тока на относительно больших расстояниях.

Устройства этого типа аналогичны электронным пушкам, которые применяются в рентгеновских трубках. Если не использовать систему отклонения электронного луча, то либо подложка, либо испаритель должны устанавливаться в стороне от оси направления потока пара.

Для фокусировки и поворота электронного пучка используют электростатические и магнитные линзы, а также дополнительные внешние магнитные поля. Это позволяет повысить точность поддержания температуры испарения и уменьшить разогрев тигля. Однако такие испарители имеют более сложную конструкцию и высокую стоимость.

Лазерный нагрев основан на интенсивном поглощении фотонов поверхностным слоем испаряемого материала. Высокая поверхностная плотность энергии лазерного луча позволяет испарять материалы вне зависимости от их температуры плавления. Особенно эффективно лазерным лучом испаряются материалы с низким коэффициентом отражения и высоким показателем поглощения. Принципиальная схема вакуумной установки лазерного испарения отличается от установки электронно-лучевого нагрева только источником – вместо электронно-лучевой пушки устанавливается лазер.

Для термовакуумного испарения наиболее часто используют газовые лазеры с активной средой СО2 и твердотельные на основе алюмоиттриевого граната или оптического стекла легированных неодимом.

Конструкции и материалы тиглей, используемые при лазерном испарении, такие же, как и в случае резистивного нагрева. Для изменения траектории лазерного луча можно использовать только призмы и зеркала со специальным покрытием. При испарении вещества неизбежно происходит их загрязнение, что приводит к ухудшению оптических свойств. Поэтому при лазерном нагреве, как правило, применяют прямолинейное распространение луча, составляющим с нормалью к поверхности испарения острый угол.

Рассмотрев возможные способы реализации термовакуумного напыления можно заключить, что выбор метода определяется тремя основными факторами: испаряемый материал, характеристики напыляемой пленки (однородность по толщине и химическому составу, чистота) и экономическая целесообразность.

Экспериментально подтверждено, что испарение химических соединений сопровождается процессами ассоциации и диссоциации молекул. Ассоциация обычно не влияет на стехиометрический состав напыляемых пленок, тогда как диссоциация приводит к большим отклонениям от исходного состава. Это отклонение тем больше, чем больше различия в летучести продуктов диссоциации. Предельный случай диссоциации – термическое разложение (пиролиз) – происходит в случае, если один из продуктов является нелетучим.

Таким образом, осаждение пленок химических соединений из одного испарителя возможно только в том случае, если вещество переходит в парообразное состояние, либо без диссоциации, либо продукты термического разложения имеют приблизительно одинаковые значения коэффициентов летучести. Такое испарение называют согласованным.

Уравнения для описания согласованного испарения химических соединений и сплавов остаются без изменений. Испарение в согласованном режиме происходит лишь для немногих соединений: SiO, MgF2, B2O3, CaF2, GeO и др.

Хотя при испарении этих веществ и наблюдаются процессы ассоциации и диссоциации молекул, для большинства практических целей их влиянием можно пренебречь. Степень диссоциации молекул возрастает с повышением температуры и уменьшением давления.

Процессы диссоциации являются основной причиной ограниченной возможности получения металлооксидных соединений для чувствительных элементов газовых датчиков методами термического нагрева в вакууме [12, 15].

Например, при вакуумном напылении пленок SnO2 образуются пленки переменного состава SnO2-SnO-Sn. В результате в пленке образуется метастабильная фаза, которая в сильной мере сказывается не только на изменении сопротивления от температуры, концентрации газов восстановителей, времени эксплуатации, но и даже на механических свойствах. Попытки повысить стабильность пленок путем термического отжига в различных режимах видимо не привели к желаемым результатам. Поэтому большинство исследователей и разработчиков предпочитают использовать методы ионного распыления.

Методы ионного распыления. В настоящее время для получения тонких пленок существует большое число методов и их разновидностей, в основе которых лежит физическое распыление материала твердотельной мишени. Более того, в последнее время в производстве электронных приборов широко используются группы методов, в которых применяются комбинированные воздействия на исходный материал пленок. Поэтому существует несколько подходов к классификации методов распыления, которые отличаются выбором основного классификационного признака.

В данной классификации к ионному распылению отнесены методы, в которых образование паровой фазы напыляемого вещества обусловлено физическим распылением мишени в результате ионной бомбардировки ее поверхности без последующей дополнительной ионизации образующегося пара. В данный класс входят группы методов, различающиеся по виду источника ионов, назначению электродов и расположению мишени относительно ионного источника.

В плазменных методах распыления источником ионов служит плазма тлеющего самостоятельного газового разряда, где катодом является мишень распыляемого материала.

В ионно-плазменных методах источником ионов служит плазма тлеющего несамостоятельного газового разряда. При этом для распыления материала на мишень подается отрицательный постоянный потенциал, вытягивающий ионы из плазмы газового разряда, который предварительно зажигается между анодом и термокатодом. То есть мишень является третьим электродом распылительной системы.

Последняя группа методов ионного распыления реализуется с помощью самостоятельных ионных источников, которые разделены по вакуумным условиям с рабочим объемом. Поэтому для распыления материала ионно-лучевыми методами не требуется напуска рабочего газа, что заведомо обеспечивает более высокую степень чистоты процесса.

Указанные методы можно проводить в среде реактивного газа, что позволяет получать сложные по химическому составу пленки. Такое распыление называют реактивным. В отличие от методов термовакуумного реактивного испарения наличие газового разряда в рабочем объеме приводит к частичной ионизации реактивного газа и атомарного пара распыляемого вещества. Это повышает скорости химической реакции и образования необходимого соединения.

Все методы ионного распыления имеют следующие достоинства:

1) возможность распыления сплавов и химических соединений с сохранением стехиометрического состава;

2) относительно простой способ контроля толщины напыляемой пленки в процессе получения за счет высокой степени воспроизводимости скорости распыления мишени;

3) проведение ионного распыления мишеней большой площади позволяет снять проблему неоднородности тонких пленок по толщине и свести к минимуму вероятность проколов в пленках, возникающих из-за теней от частиц пыли на подложке;

4) процессы ионного распыления не зависят от гравитационных сил и исключают возможность “разбрызгивания” материала, что позволяет произвольно располагать подложки и мишени относительно друг друга;

5) материала мишени достаточно для многократного использования;

6) перед началом напыления пленки достаточно просто реализуется ионная очистка поверхностей подложки и мишени;

7) при ионном распылении атомы материала имеют высокие значения кинетической энергии, что облегчает образование переходного слоя, улучшает адгезию и позволяет снижать температуру подложки, что обеспечивает напыление на не термостойкие носители;

8) проведение реактивного распыления облегчается повышением химической активности компонент за счет частичной ионизации и высоких энергий взаимодействующих частиц.

Методы ионного распыления имеют ограничение применения, если невозможно выполнить хотя бы одно из следующих условий:

1) скорость осаждения не более 300 нм/мин (для магнетронного распыления на порядок выше);

2) распыляемый материал должен иметь форму пластин или дисков с большой рабочей поверхностью;



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 17 |
 

Похожие работы:

«Что принесет добывающий бум в Монголии? Январь АВТОРЫ Фиданка МакГрат, Владлена Марцинкевич и Дэвид Хоффман, Сеть НПО в ЦВЕ Бенквоч Регина Рихтер, «Urgewald» Дугерсурен Сухгерел, «OT Watch» Айнабат Яйлымова, Центр информации о банках (BIC) ДИЗАЙН Томас Барчик — студия дизайна КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ Сеть НПО в ЦВЕ Бенквоч ул. На Рожести (Na Rozcesti), Прага 9 — 190 00, Чехия www.bankwatch.org Twitter @ceebankwatch Youtube.com/Bankwatch urgewald Marienstrasse 19/20 10117 Berlin Germany...»

«ЕЖЕКВАРТАЛЬНЫЙ ОТЧЕТ открытого акционерного общества «Силовые машины ЗТЛ, ЛМЗ, Электросила, Энергомашэкспорт» Код эмитента: 35909-Н за 2 квартал 2005 года Место нахождения эмитента: г. Санкт-Петербург, ул. Ватутина, д. 3, Лит. А Информация, содержащаяся в настоящем ежеквартальном отчете, подлежит раскрытию в соответствии с законодательством Российской Федерации о ценных бумагах Зам. Генерального директора по стратегии и корпоративным вопросам (на основании доверенности № Ю-14 от...»

«Организация Объединенных Наций A/HRC/WG.6/20/GMB/1 Генеральная Ассамблея Distr.: General 24 July 2014 Russian Original: English Совет по правам человека Рабочая группа по универсальному периодическому обзору Двадцатая сессия 27 октября – 7 ноября 2014 года Национальный доклад, представленный в соответствии с пунктом 5 приложения к резолюции 16/21 Совета по правам человека* Гамбия * Настоящий документ воспроизводится в том виде, в котором он был получен. Его содержание не означает выражения...»

«РЕГИОНАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ТАРИФАМ КИРОВСКОЙ ОБЛАСТИ ПРОТОКОЛ заседания правления региональной службы по тарифам Кировской области № 31 21.08.2015 г. Киров Беляева Н.В.Председательствующий: Троян Г.В. Члены правлеВычегжанин А.В. ния: Петухова Г.И. Мальков Н.В. отпуск Отсутствовали: Юдинцева Н.Г. отпуск Кривошеина Т.Н. командировка Никонова М.Л. период временной нетрудоспособности Владимиров Д.Ю. представлено письменное мнение от 21.08.2015 Трегубова Т.А. Секретарь: Зыкина Н.С., Петухова С.Н.,...»

«копия Дело № 2-796/2014 РЕШЕНИЕ ИМЕНЕМ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ленинский районный суд г. Саранска Республики Мордовия в составе: председательствующего судьи Ионовой О.Н., при секретаре судебного заседания Пиксайкиной Н.В., участием истца представителей ответчика Федерального бюджетного учреждения здравоохранения «Центр гигиены и эпидемиологии в Республике Мордовия» Барановой Е.В., действующей на основании доверенности от 10 мая 2011 года, Лебедевой Е.Г., действующей на основании доверенности от 06...»

«ГеоморфолоГия картоГрафия и ГеоморфолоГия и картоГрафия Министерство образования и науки РФ Российский фонд фундаментальных исследований Институт географии РАН Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского «ГЕОМОРФОЛОГИЯ И КАРТОГРАФИЯ» Материалы XXXIII Пленума Геоморфологической комиссии РАН (Саратов, 17 — 20 сентября 2013 г.) Саратов Издательство Саратовского университета УДК [551.4+528.9](082) ББК 26.823я43+26.17я43 Г36 Геоморфология и картография: материалы XXXIII Пленума...»

«Федеральное Агентство Научных Организаций РФ  Российская Академия наук  ФГБУН Институт геологии Дагестанского научного центра РАН   ФГБУН Геологический институт РАН  Российский Фонд Фундаментальных Исследований  Комиссия по юрской системе МСК России    ЮРСКАЯ СИСТЕМА РОССИИ:   ПРОБЛЕМЫ СТРАТИГРАФИИ И ПАЛЕОГЕОГРАФИИ    ШЕСТОЕ ВСЕРОССИЙСКОЕ СОВЕЩАНИЕ    Махачкала, 1520 сентября 2015 г.     JURASSIC SYSTEM OF RUSSIA:    PROBLEMS OF STRATIGRAPHY AND PALEOGEOGRAPHY    SIXTH ALLRUSSIAN MEETING    ...»

«МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Федеральное государственное бюджетное учреждение «Отраслевой центр мониторинга и развития в сфере инфокоммуникационных технологий» ул. Тверская, 7, Москва, 125375, тел.: (495) 692-12-13, факс: (495) 692-24-45, Е-mail: crdet@crdet.org.ru, МОНИТОРИНГ СОСТОЯНИЯ И ДИНАМИКИ РАЗВИТИЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ ИНФОРМАЦИОННЫЙ СБОРНИК (по материалам, опубликованным в июле 2014 года) (часть 2) Москва,...»

«ОдесскАЯ нАциОнАльнАЯ АкАдемиЯ пищевых технОлОгий Лучшие инженерные традиции с 1902 г. Одесса-2012 ББК 74.583 (4 Укр-4 Оде) УДК 378.666.4 (477.74) (09) К 190 Кананыхина, Елена Николаевна Одесская национальная академия пищевых технологий / Е. Н. Кананыхина, А. А. Соловей, Н. П. Белявская; – под ред. проф. Б. В. Егорова. – Одесса: ТЭС, 2012. – 240 с. : ил. 675 Под редакцией проф. Егорова Б. В. Авторский коллектив: доц. Кананыхина Е. Н., доц. Соловей А. А., Белявская Н. П. Составители:...»

«Кемеровский Государственный Университет Новокузнецкий институт (филиал) БИБЛИОТЕКА Бюллетень новых поступлений ОКТЯБРЬ 2013 г. Электронный вариант Бюллетеня смотрите также в локальной сети НФИ КемГУ по адресу: litera/Библиотека/Новые поступления Новокузнецк, 2013 г. УВАЖАЕМЫЕ СТУДЕНТЫ И ПРЕПОДАВАТЕЛИ! ОБРАЩАЕМ ВАШЕ ВНИМАНИЕ НА ТО, ЧТО В БЮЛЛЕТЕНЕ УКАЗЫВАЕТСЯ ОБЩЕЕ КОЛИЧЕСТВО КАЖДОГО НАЗВАНИЯ В ФОНДЕ БИБЛИОТЕКИ, ВКЛЮЧАЯ ПОСТУПЛЕНИЕ ЗА ТЕКУЩИЙ МЕСЯЦ ЭКЗЕМПЛЯРЫ РАСПРЕДЕЛЯЮТСЯ ПО СИГЛАМ ХРАНЕНИЯ:...»

«Региональные и местные выбоРы 8 сентябРя 2013 года: тенденции, пРоблемы и технологии Фонд кудрина Фонд «ЛибераЛьная миссия» А. Кынев, А. Любарев, А. Максимов Региональные и местные выбоРы 8 сентябРя 2013 года: тенденции, проблемы и технологии Москва УДК 324(470+571)’’2014’’ ББК 66.3(2Рос),131 К97 кынев, александр Владимирович K97 Региональные и местные выборы 8 сентября 2013 года: тенденции, проблемы и технологии / А. Кынев, А. Любарев, А. максимов. – москва : Фонд «Либеральная миссия», 2014. –...»

«руководство института выражает искреннюю признательность всем авторам, представившим свои материалы составитель сборника А.М. Певзнер благодарим сотрудников ИКИ РАН, обеспечивших подготовку сборника к печати: В.Ф. Бабкина, В.Н. Гилярову, И.П. Максименкову, А.П. Мельника, Т.Л. Шпагину, В.А. Ожередова ответственность за достоверность приведённых в материалах сведений несут их авторы точка зрения дирекции ИКИ РАН не всегда совпадает с мнением авторов перепечатка материалов только с разрешения...»

«Счетная палата Российской Федерации БЮЛЛЕТЕНЬ № 5 (173) В выпуске: Эффективность действующего порядка исчисления и уплаты акцизов на спирт и алкогольную продукцию, а также маркировки алкогольной продукции федеральными специальными марками Проверка целевого использования российских средств, выделенных на оказание гуманитарной финансовой помощи Палестинской национальной администрации Эффективность организации проката, тиражирования, показа и иного использования российско-белорусского фильма...»

«Министерство образования и науки РФ ФГАОУ ВПО «Казанский (Приволжский) федеральный университет» Институт геологии и нефтегазовых технологий, Центр дополнительного образования, менеджмента качества и маркетинга СПУТНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ Конспект лекций Казань 2014 Загретдинов Р.В. Спутниковые системы позиционирования. Конспект лекций / Р.В. Загретдинов, Каз. федер. ун-т. – Казань, 2014. – 148 с. В курсе рассмотрены принципы работы ГНСС GPS и ГЛОНАСС, описано преобразование координат и...»

«Анализ диалоговых инициатив относительно урегулирования конфликта в Украине Январь 201 Содержание Вступление Раздел 1. Особенности урегулирования конфликта в Украине Многоуровневость конфликта Дипломатические инструменты для урегулирования конфликта Применение инструментов официальной, полуофициальной и неофициальной дипломатии для урегулирования конфликта в Украине Национальный диалог как инструмент урегулирования конфликта в Украине. Инструменты неофициальной дипломатии для урегулирования...»

«ПУБЛИЧНЫЙ ДОКЛАД О ДЕЯТЕЛЬНОСТИ МУНИЦИПАЛЬНОГО АВТОНОМНОГО ДОШКОЛЬНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ «ДЕТСКИЙ САД «ДЮЙМОВОЧКА» за 2014-2015 учебный год Краткая аннотация Публичный доклад (отчет) образовательного учреждения (далее – Доклад) представляет собой способ обеспечения информационной открытости и прозрачности Муниципального автономного дошкольного образовательного учреждения «Детский сад «Дюймовочка» (далее – ДОУ), форма широкого информирования общественности, прежде всего родительской,...»

«ПЛЕНАРНЫЕ ДОКЛАДЫ УДК 630*221.0 О ПЕРСПЕКТИВАХ РАЗВИТИЯ ЛЕСНОГО КОМПЛЕКСА ДАЛЬНЕГО ВОСТОКА А.П. КОВАЛЕВ 680030 ХАБАРОВСК, ул. Волочаевская, 7 ФБУ «Дальневосточный научно-исследовательский институт лесного хозяйства» Приводится характеристика лесного фонда ДФО по показателям доступности для промышленной лесоэксплуатации. Определены основные факторы, способствующие прогрессивному истощению и ухудшению качества лесных ресурсов. Показаны пути выхода из сложившейся ситуации. Развитие и перспективы...»

«Федеральный закон от 21.11.2011 N 323-ФЗ (ред. от 27.09.2013) Об основах охраны здоровья граждан в Российской Федерации Документ предоставлен КонсультантПлюс www.consultant.ru Федеральный закон от 21.11.2011 N 323-ФЗ Документ предоставлен КонсультантПлюс (ред. от 27.09.2013) Дата сохранения: 22.11.2013 Об основах охраны здоровья граждан в Российской Федерации 21 ноября 2011 года N 323-ФЗ РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЗАКОН ОБ ОСНОВАХ ОХРАНЫ ЗДОРОВЬЯ ГРАЖДАН В РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Принят...»

«Всемирная организация здравоохранения ШЕСТЬДЕСЯТ ШЕСТАЯ СЕССИЯ ВСЕМИРНОЙ АССАМБЛЕИ ЗДРАВООХРАНЕНИЯ A66/1 Пункт 15.1 предварительной повестки дня 5 апреля 2013 г. Осуществление Международных медико-санитарных правил (2005 г.) Доклад Генерального директора Исполнительный комитет на своей Сто тридцать второй сессии принял к 1. сведению предыдущий вариант настоящего доклада, а также сопутствующий доклад о критериях продления сроков в 2014 году1. Основной задачей настоящего доклада является...»

«ЛИНГВОПЕРЕВОДЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ТЕКСТА ПУБЛИЦИСТИЧЕСКОГО ЖАНРА НА МАТЕРИАЛЕ СТАТЬИ «БУТАН: ЕДИНСТВЕННОЕ ПОДЛИННОЕ МЕСТО НА ЗЕМЛЕ» Морозова А.В. Международный Институт Рынка Самара, Россия LINGUISTIC TEXT ANALYSIS OF PUBLICISTIC GENRE ON THE MATERIAL OF THE ARTICLE «BHUTAN: THE LAST AUTHENTIC PLACE ON EARTH» Morozova A.V. International Market Institute Samara, Russia Содержание Введение Цель работы Библиографическое описание текста Характеристика текста оригинала Доминанты перевода и основные...»








 
2016 www.nauka.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.