WWW.NAUKA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, издания, публикации
 


Pages:   || 2 |

«Б.Н.МИТЯШЕВ Электронные приборы Содержание Введение Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов. 3 1.2. Донорные и акцепторные ...»

-- [ Страница 1 ] --

Б.Н.МИТЯШЕВ

Электронные приборы

Содержание

Введение

Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов............. 3

1.2. Донорные и акцепторные примеси

1.3. Возбуждение и инжекция

Глава 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ р-п ДИОДЫ

2.1. Запорный слой р-п перехода

2.2. Вольтамперная характеристика

2.3. Барьерная емкость р-п перехода

2.4. Диффузионная емкость р-п перехода

2.5. Туннельный диод

Глава 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

3.1. Принципы действия

3.2. Аналитический вывод вольтамперных характеристик

3.3. Вольтамперные характеристики.

3.4. Транзистор на высоких частотах

3.5. Дрейфовые, транзисторы

3.6. Конструкция и технология

Глава 4. КОНТАКТ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И

ДИОДЫ ШОТТКИ

4.1. Образование контакта металл-полупроводник

4.2. Вольтамперная характеристика контакта

металл - полупроводник

4.2. Конструкция и высокочастотные свойства

4.3. Применения

Глава 5. ПОЛЕВЫЕ ПРИБОРЫ

5.1. Транзистор с управляюшщим р-п переходом

5.2. Вольтамперная характеристика

5.3. Параметры и эквивалентные схемы

5.4. Полевой транзистор с изолированный затвором (МОП - транзистор). 78

5.5. Энергетические диаграммы МОП-структуры

5.6. Вольтамперные характеристики МОП-транзисторов

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение Полупроводниковые электронные приборы являются в настоящее время основными элементами радиоэлектронных устройств. Они позволяют успешно выполнять все элементарные операции радиоэлектроники:

генерирование, усиление, преобразование, регистрацию электрических колебаний, а также управление параметрами колебаний или сигналов.

Развитие полупроводниковой электроники оказывает сильное влияние на пути развития других направлений электроники в том числе вакуумной, оставляя для каждого направления преимущественные области приложений Полупроводниковые приборы совсем вытеснили вакуумные в области информационной радиоэлектроники, составляющей основу функционирования электронных вычислительных машин, больших управляющих и информационных систем, в которых в процессе обработки информации участвует большое количество элементов, выполняющих преобразование на уровне слабых сигналов.

Знание физических процессов и явлений, лежащих в основе работы полупроводниковых приборов и их количественный анализ необходимы. Как для разработки новых приборов, так и для полного использования их возможностей при создании радиоэлектронных устройств. При наличии общих основ точки зрения технолога и разработчика аппаратуры могут отличаться, что способствует более глубокому овладению предметом изучения и исследования. Данное учебное пособие написано на основе раздела курса лекций «Электронные приборы», предназначенного для студентов факультета радиотехники и кибернетики МФТИ. Особенностью курса является его направленность на изучение физических процессов в полупроводниковых приборах с целью обоснования их статических, частотных и временных характеристик, предельных возможностей, а также адекватного представления поведения приборов в устройствах с помощью линейных и нелинейных дифференциальных уравнений и соответствующих эквивалентных схем. Учебники и учебные пособия, предназначенные для подготовки специалистов по электронной технике, ориентированы на технологию приборов и слабо отражают вопросы эквивалентного представления приборов в радиотехнических устройствах.

Учебное пособие содержит изложение вопросов фундаментального характера и недостаточно освещенные в учебной литературе разделы.

Выполнен детальный анализ свойств и характеристик р-п диодов, биполярных транзисторов, свойств приборов, обладающих малой инерционностью, в том числе на основе контакта металл-полупроводник, полевых приборов с различной структурой.

Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Возможность использовать полупроводниковые кристаллы в контакте с металлом или другим полупроводниковым образцом для детектирования, усиления и генерации электрических колебаний известна давно.

Кристаллические детекторы и усилители широко применялись в профессиональной и любительской радиосвязи уже в 20-е годы нашего столетия.

Были предприняты попытки управлять поверхностной проводимостью полупроводника изменением напряженности электрического поля вблизи поверхности. Эти попытки в то время и до 1958 года не привели к успеху в деле создания стабильно работающего нового электронного прибора. Лишь в 60-е годы были созданы промышленные полевые транзисторы с индуцированным каналом (МОП - транзисторы). Идеи оказались преждевременными. Недостаточное понимание механизма наблюдаемых явлений не позволяло сформулировать требования к желательным свойствам образцов и контактов. Главным же препятствием являлось отсутствие технологической базы получения полупроводниковых образцов с заданными свойствами. Методы тонкой технологии и контроля были подготовлены развитием вакуумной электроники и ее использованием в технике научного экспериментирования и в промышленности.

1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов Основным материалом полупроводниковой электроники являются полупроводниковые монокристаллы высокой чистоты состава. Именно выращивание р-п переходов в структуре монокристаллического германия привело к триумфальной реализации идеи биполярного транзистора Шокли.

Попытки реализации транзистора на поликристаллическом германии подтвердили идею, но не дали хорошего прибора. Совершенная структура монокристаллов, возможность введения контролируемых примесей без нарушения структуры кристалла, тонкая технология нанесения металлических, защитных и изолирующих пленок на поверхность полупроводников обеспечивают чистоту реализации идеи прибора. Это упрощает теоретическую модель прибора и повышает степень соответствия теоретических и экспериментальных данных.

Полупроводниковые приборы можно в первом приближении изучать на простой модели, основанной на зонной теории проводимости полупроводниковых кристаллов.

Электроны изолированных атомов занимают дискретные энергетические уровни. Число электронов на внешней оболочке невозбужденного атома определяет валентность вещества. В кристалле атомы образуют периодическую пространственную структуру, в которой электроны внешних электрических оболочек являются общими для соседних атомов и кристалла в целой. Образуется электронная система взаимодействующих атомов, для которой, как и для изолированного атома, выполняется принцип запрета Паули. В результате взаимодействия разрешенные энергетические уровни изолированного атома расщепляются в зоны близко расположенных уровней кристалла.

Электрическая проводимость кристаллического образца определяется структурой энергетических зон, которая зависит от количества электронов на внешних оболочках, пространственной структуры кристалла и межатомных расстояний. При взаимодействии атомов в кристалле расщепляются разрешенные электрические уровни, как занятые, так и незанятые электронами, поэтому число разрешенных уровней в зонах превышает число электронов. В металлах внешние энергетические зоны перекрываются, образуя единую зону проводимости, в которой валентные электроны не связаны с конкретными атомами, являются "свободными", т.е.

принадлежат кристаллу в целом; поэтому металлы обладают хорошей электропроводимостью. В полупроводниках и диэлектриках имеется валентная зона, которая в отсутствие возбуждения кристалла полностью заполнена электронами, и зона проводимости, которая в отсутствие возбуждения является пустой. Зона проводимости отделена от валентной зоной запрещенных состояний некоторым энергетическим зазором g на энергетической диаграмме (рис.1.1).

П В

–  –  –

На диаграмме уровень B является потолком валентной зоны, т. е.

наибольшим разрешенным уровнем в валентной зоне. Уровень П является дном зоны проводимости. Ширина запрещенной зоны равна g = П B и определяется энергией связи атомов кристаллической решетки. С повышением температуры величина энергетического зазора g уменьшается.

В таблице 1 приведены значения g для основных материалов полупроводниковой электроники: германия, кремния и арсенида галлия.

Значения для 300° K даны с округлением.

Таблица 1.

g в электронвольтах Ge Si GaAs 0K 0,89 1,16 1,52 300K 0,7 1,1 1,4 При тепловом возбуждении часть электронов может приобрести энергию, достаточную, чтобы занять уровень в зоне проводимости. При комнатной температуре чистые кристаллы элементов таблицы 1 обладают умеренной электропроводностью. При низких температурах все они являются изоляторами. Если величина энергетического зазора составляет несколько эВ, то при комнатной температуре такие кристаллы являются изоляторами (алмаз имеет g 6 эВ).

Тепловое возбуждение, переводящее электрон в зону проводимости, одновременно образует вакансию в валентной связи атомов, или «дырку».

Приложенное электрическое поле перемещает соседний электрон в область незаполненной связи, создавая дрейф вакантной связи по кристаллу. Такое перемещение удобно трактовать как движение положительно заряженного носителя тока - дырки. В чистом кристалле число свободных электронов проводимости равно числу дырок в валентной зоне. Свойства электронов и дырок, как носителей тока, отличаются. Это обусловлено большей связанностью электронов с атомами в валентной зоне. Можно раздельно определить электронную и дырочную проводимость полупроводникового кристалла.

При небольшой напряженности электрического поля средняя скорость электронов пропорциональна напряженности поля Е Vn n E, (1.1) где n- подвижность электронов, коэффициент пропорциональности, имеющий размерность [м2/всек] (принято оперировать размерностью [см2/всек] ). Такое же соотношение справедливо для скорости движения дырок: Vp p E, р – подвижность дырок. Обычно р n.

Плотность тока в кристалле j enVn epVp (enn ep p ) E ( n p ) E E, (1.2) где e – заряд электрона, n – концентрация электронов, р – концентрация дырок, n и p – электронная и дырочная проводимости (по определению n=enn, p=epp), – удельная проводимость образца. В рассматриваемом случае малых Е, таких, что подвижности n и p еще не зависят от Е, соотношение (1.2) есть закон Ома в дифференциальной форме.

Поведение проводимости некоторого образца с изменением температуры позволяет отнести образец к металлу или полупроводнику в соответствии с зонной моделью. С увеличением температуры удельная проводимость полупроводникового кристалла увеличивается, как следствие экспоненциального роста концентрации электронов и дырок. Уменьшение подвижностей n и p с увеличением температуры лишь несколько замедляет рост. Полупроводники обладают проводимостью только в возбужденном состоянии. Их проводимость возрастает при нагревании, при освещении, при облучении ядерными частицами. Проводимость металлов с ростом температуры падает вследствие уменьшения средней длины свободного пробега электронов и, следовательно, их подвижности.

В таблице 2 приведены значения подвижностей электронов и дырок при температуре 300°K, выраженные в [см2/Всек].

–  –  –

h где h – постоянная Планка, mn* – эффективная масса электрона. Размерность есть ( м3эВ3/2)1, и размерность N( n) есть (м3эВ ).

Вероятность того, что электрон будет находиться в квантовом состоянии с энергией, определяется распределением Ферми-Дирака

–  –  –

N Si N Si Удельное сопротивление чистого кремния = 230000 Омсм. Из-за трудно удалимой примеси бора исходный для производства приборов кремний имеет дырочный тип проводимости и удельное сопротивление около 104 Омсм.

–  –  –

Введение контролируемых примесей в полупроводниковый кристалл является основой получения полупроводниковых приборов.

Если к чистому Je или Si добавить пятивалентную примесь (P, As, Sb) так, чтобы примесь равномерно распределилась по кристаллу замещающим образом, то атомы примеси займут место в узлах кристаллической решетки, не нарушая структуру связей атомов в кристалле. Четыре электрона атома примеси образует связи с соседними атомами, а пятый электрон образует водородоподобную систему с некомпенсированным зарядом ядра и слабо связан с атомом. Энергия отрыва одного электрона примесного атома, энергия ионизации, невелика: n 0,01 эВ для атома в кристалле Je и n 0,05 эВ для«;0,05 эВ для Si.

Если концентрация примесей невелика, то примесные атомы слабо взаимодействуют друг с другом и кристалл имеет дискретный энергетический уровень на n ниже дна зоны проводимости (рис.1.3а).

Так как n мало, то при комнатной температуре (300° K) почти все "пятые" электроны перейдут в зону проводимости, а примесные атомы станут положительными закрепленными в решетке ионами.

–  –  –

Рис.1.3 Энергетические диаграммы донорного (п-типа) и акцепторного (р-типа) полупроводника Увеличение числа свободных электронов одновременно уменьшает число дырок в валентной зоне, т.к. возрастает вероятность рекомбинации дырок с электронами. Такие примеси называют донорными.

Если ввести трехвалентные примеси (В, Al, Ja, In), то у примесного атома одна связь оказывается неполной. Эта связь легко заполняется в результате перехода электрона от одного из основных атомов кристалла, и в связях основных атомов образуется дырка. Энергия перехода электрона от основного атома к примесному р 0,01 эВ для германия и р 0,05 эВ для кремния. При комнатной температуре почти все примесные атомы становятся закрепленными в кристаллической решетке отрицательными ионами, образовав в валентной зоне дополнительные дырки. Одновременно уменьшается число свободных электронов в зоне проводимости из-за увеличения вероятности рекомбинации. Вблизи валентной зоны появляется разрешенный примесный уровень А (рис.1.3 б). Такие примеси называют акцепторными.

Введение примесей увеличивает проводимость и задает преобладающий тип носителей тока. В полупроводнике п-типа электроны – основные носители, а дырки – неосновные. В полупроводнике р-типа основными носителями являются дырки.

При небольшой концентрации примесей, как уже отмечалось, для примесного полупроводника справедливо соотношение (1.4), которое позволяет определить концентрацию носителей тока в полупроводнике.

В кристалле полупроводника п-типа, имеющем NД донорных атомов на единицу объема, концентрация электронов при комнатной температуре, когда практически все примесные атомы ионизированы, равна п = NД + Р, что является констатацией электрической нейтральности кристалла в термодинамическом равновесии. Концентрация дырок в соответствии с (1,4) n2 равна p i. Если NД » ni, то n » p и электроны являются основными n носителями. Обозначим концентрацию электронов в полупроводнике п-типа в термодинамическом равновесии nno (основные носители в п – полупроводнике), а концентрацию дырок рpo (неосновные носители). Тогда для полупроводника п-типа n2 nno N Д, pno i (1.13) NД Для материала р-типа, имеющего концентрацию акцепторов NA, которые практически полностью ионизированы при комнатной температуре, концентрации основных рpo и неосновных npo носителей связаны соотношениями:

n2 p po N A n po, n po i. (1.14) p po ni2 p po N A, n po При N A ni. (1.15) NA Так, для кремния при Т = 300° K (ni2 = 1,9 • 1020 см–6) концентрация донорных примесей NД = 1015 1/см3 задает концентрацию электронов nпо и определяет концентрацию дырок:

n2 1,9 1020 pno i 1,9 105 1 см3.

NД Концентрации основных и неосновных носителей в условиях очень сильно отличаются; удельное сопротивление электронного кремния в данном примере становится равным 5 Омсм.

Если увеличивать температуру, то концентрация неосновных носителей возрастает в соответствии с (1.4) и (1.13) или (1.15). При достаточно высокой температуре примесный полупроводник не будет иметь преобладающего типа носителей, т.е станет собственным, для которого р = п.

Критическое значение температуры больше для материала с большим энергетическим зазором g и увеличивается с увеличением концентрации примесей. Ориентировочные значения Ti приведены в таблице Je Si JaAs Ti / °C 100 200 400

1.3. Возбуждение и инжекция Соотношение (1.4) справедливо для термодинамического равновесия. Нарушение равновесия может быть при возбуждении кристалла световыми квантами с энергией hf g. В кристалле возбуждаются электронно-дырочные пары, создавая повышенную концентрацию носителей n no no, p po po, no =po. Здесь no и рo – равновесные концентрации, в чистом полупроводнике po = no = ni. При мгновенном прекращении возбуждения концентрация спадает до равновесной:

t n no no et n, p po po e p, (1.16) где n и p – время жизни электронов и дырок. В процессе релаксации любой объем полупроводника остается электрически нейтральным. Поэтому n = p.

В примесном полупроводнике, например, п-типа no nno, po pno и nno При возбуждении резко возрастает pno.

относительная концентрация неосновных носителей и очень мало n po основных: o. Поэтому возбуждение некоторого объема nno pno примесного полупроводника можно трактовать как инжекцию неосновных носителей в этот объем. Соотношение (1.16) остается справедливым и для примесного полупроводники с тем отличием, что величина времени жизни определяется механизмами, определяющими темп рекомбинации неосновных носителей.

Время жизни может быть от сотен микросекунд для чистых кристаллов до долей наносекунды при введении примесей, создающих рекомбинационные ловушки. Для регулирования времени жизни носителей в германии и кремнии часто используется легирование золотом. Время жизни носителей вблизи поверхности кристалла отличается от объемного, так как на поверхности образуется много рекомбинационных центров, обусловленных поверхностными состояниями, примесями и нарушениями структуры кристалла при механической и химической обработке.

Повышение концентрации носителей тока может быть получено непосредственной инжекцией на границе контакта с металлом или полупроводником путем нарушения равновесия приложенным к контакту внешним напряжением. Носители диффундируют из области высокой концентрации в область меньшей концентрации. За время жизни носитель пройдет среднее расстояние L в соответствии с экспоненциальным спадом концентрации от резкой границы в толщу полупроводника. Для дырок в побразце pn x pno po e p, x L (1.17) где ро – инжектированная концентрация на границе п-образца, Lp – диффузионная длина для дырок в п-образце.

Повышение концентрации неосновных носителей сопровождается таким же увеличением концентрации основных, что является следствием сохранения электрической нейтральности каждого локального объема:

nn x nno no e p, x L

–  –  –

u0 0, 026ln 0,58 B.

1,9 1020 В тех же условиях для р-п перехода.в кристалле германия ( ni2 5,6 1026 см–6) u0= 0,19 В, что приблизительно на 0,4 B меньше, чем для кремния. Сдвиг между вольтамперными характеристиками переходов на 0,4 В является характерным признаком, по которому можно определить из какого из двух ( Je или Si) материалов изготовлен р-п переход (см. далее вольтамперные характеристики и их анализ).

–  –  –

где А1 от температуры не зависит.

Кроме тока диффузии неосновных носителей обратный ток образуется вследствие генерации пар носителей в области запорного слоя.

Возбужденные при данной температуре пары покидают запорный слой, ускоряясь полем перехода и не успевая рекомбинировать. Эта составляющая тока пропорциональна ni. Генерационный ток преобладает в кремниевых диодах, так как равновесная концентрация неосновных носителей в этих диодах меньше и ток (2.13) очень мал. Таким образом, для кремниевых диодов для температурной зависимости обратного тока I0 лучше аппроксимация (I0~ni) g

–  –  –

Характеристики диодов сдвинуты по оси напряжений на величину, численно равную разности энергетических зазоров, выраженных в электрон-вольтах.

Если g1 = 0.7 эВ (Ge) и g2= 1,1 эВ (Si), то и2 – и1 = 0.4 В.

Если учитывать только диффузионный механизм обратного тока, то обратный ток кремниевого диода должен быть в kT e0.4 0.026 e15.4 5 106 раз меньше, чем германиевого.

e g 2 g1 Эксперименты дают отличие в 103 – 104 раз. Это связано с наличием других механизмов обратного тока кроме диффузионного [см.(2.15)]. Однако, экспериментально наблюдаемый сдвиг характеристик германиевых и кремниевых диодов близок к 0.4 В, что объясняется большим значением uT 1.5 для кремниевых диодов в выражении (2.19).

В области очень больших токов реальная характеристика отличается от (2.19). Во-первых большой уровень инжекции изменяет концентрацию основных носителей вблизи перехода, что нарушает принятую при выводе (2.11) аппроксимацию рр = рр0 и nn = nn0; во-вторых напряжение на диоде отличается от напряжения на переходе на величину падения напряжения на омических контактах и в теле кристалла.

В области достаточно больших обратных напряжений ток диода нарастает и имеет характер обратимого пробоя. Имеется два основных механизма пробоя: лавинное размножение носителей тока в запорном слое и туннелирование носителей через тонкий переход.

При лавинном пробое неосновные носители обратного тока ускоряется полем перехода и образуют новые пары, выбивая валентные электроны. Коэффициент лавинного размножения M, (2.21) m 1 u u np где m зависит от типа проводимости и концентрации примесей (удельного сопротивления) стороны перехода с высоким удельным сопротивлением: для р-типа с удельным сопротивлением = 0.1 Ом·см т = 4.7, = 2 Ом·см т = 6, для п-типа т 3.

Напряжение пробоя имеет высокую температурную стабильность.

Для лавинного пробоя коэффициент температурной нестабильности положителен и равен unp 1 104 103 (град)–1.

T unp Для размножения носителей в запорном слое необходима достаточная длина пробега носителей, т.е. достаточно широкий запорный слой. Это получается при умеренной концентрации примесей (см. далее обсуждение барьерной емкости перехода). Напряжение лавинного пробоя uпр 6 В и может достигать сотен вольт. Специально разрабатываются диоды, способные выдерживать рассеяние большой мощности на переходе и предназначенные для работы в области пробоя, – стабилитроны.

–  –  –

Введение достаточно широкого i-слоя уменьшает барьерную емкость, которая может достигать сотых долей пкФ, и понижает максимальную напряженность поля в переходе. Последнее уменьшает вероятность пробоя, что используется при конструировании высоковольтных диодов.

2.4. Диффузионная емкость р-п перехода Основное ограничение скорости процессов в р-п диодах обусловлено диффузионным механизмом переноса носителей заряда. Ток пропорционален градиенту концентрации инжектированных неосновных носителей, а градиент, в свою очередь, пропорционален концентрации [(рис. 2.2), выражение (2.9)]. Несмотря на то, что инжектированный заряд неосновных носителей компенсируется соответствующим увеличением концентрации основных, и кристалл вне запорного слоя остается электрически нейтральным, удобно оперировать с зарядом неосновных носителей и связывать его с напряжением на переходе и с током через переход. При этом появляется параметр, связывающий заряд с напряжением – диффузионная емкость.

Полный установившийся при данном токе инжектированный заряд равен сумме зарядов дырок в п-области и электронов в р-области Q Qp Qn (2,37)

–  –  –

При подаче прямого напряжения E1 в диоде установится прямой ток i1 E1 ud 0 R. Напряжение на диоде, соответствующее этому току есть ud0 (см. вольтамперную характеристику на рис. 2.7б). Прямому току соответствует заряд в диоде Ql = i1. При подаче напряжения запирающего знака величиной E2 начинаются процессы переключения. Основным является процесс рассасывания накопленного заряда обратным током i2, который в момент переключения равен i1 E2 ud 0 R. Подстановка тока i в уравнение (2.48) дает решение вблизи точки переключения:

Q t i1 i2 e 1 i2.

t t Можем оценить время рассасывания неосновных носителей, считая ток рассасывания i2 в течение времени рассасывания tp=t2–t1 постоянным и граничный заряд в момент t2 равным нулю(Q(t2)= 0) i i t p ln 1 2 i2 При равных токах i1 = i2 tp 0,7. Время рассасывания пропорционально времени жизни неосновных носителей.

Заметим, что в процессе рассасывания неосновных носителей диод остается открытым и напряжение на нем соответствует прямому смещению (временная диаграмма для ud на рис. 2.7). В момент переключения имеется небольшой скачок напряжения, вызываемый изменением падения напряжения на малых сопротивлениях тела кристалла Rп и Rp с учетом смены направления тока:

ud Rn Rp i1 i2 В диодах с быстрым переключением уменьшают время жизни носителей введением примесей, образующих рекомбинационные ловушки.

Введение примесей золота в кремний позволяет уменьшать до единиц и долей нсек. Большая концентрация рекомбинационных примесей увеличивает ток и тем ухудшает вольтамперные характеристики диода.

Диоды на JaAs обладают малым из-за сильного влияния очень малой концентрации примесей и могут быть сделаны быстродействующими с временем переключения менее 0,1 нсек.

2.5. Туннельный диод

В р-п диодах с тонким запорный слоем становится существенным туннелирование электронов через тонкий потенциальный барьер. В обычных полупроводниковых р-п диодах концентрация примесей 1014 – 1015 см–3 (относительная концентрация примесей около 10–8), что дает запорный слой шириной порядка нескольких микрон. Если концентрацию примесей увеличить до 1018 – 1019 см–3, то ширина запорного слоя при резком переходе уменьшится обратно пропорционально корню квадратному увеличения концентрации примесей 1 N (см. (2.33)), т.е. в 100 раз. Ширина o запорного слоя станет равной T n 108 м n 100 A, где п = 1 – 10 в зависимости от концентрации примесей. В данном случае ширина запорного слоя и, следовательно, потенциального барьера в десятки раз меньше длины волны видимого света. Через такие тонкие барьеры электрон может проникать, не имея достаточной энергии, чтобы преодолеть высоту барьера.

Имеется конечная вероятность того, что электрон окажется по другую сторону барьера, т.е. туннелирование электрона. Диоды с таким механизмом переноса электронов в р-п структуре были получены Эсаки в 1958 году.

Вольтамперная характеристика туннельного диода приведена на рис.

2.8.

i/In Je JaAs 1,0 0,5

–  –  –

В области малых напряжений диод хорошо проводит. Имеется характерный пик тока IП при небольшом прямом напряжении (uП 0,05 В для Ja и uП 0,15 В для JаAs – диодов) и следующий за пиком участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В области впадины ( uв 0,3 В для JаAs и uв 0,6 В для JаAs диодов) преобладающим механизмом переноса тока становится диффузионный механизм обычного р-п диода. При напряжении uН (номинальное напряжение uН 0,5 для JаAs и uН 1,1 В для JаAs – диодов) диффузионный ток взрастает до уровня пика IП.

Характеристика кремниевого диода занимает промежуточное положение с большей относительной величиной тока впадины IВ/IП 4. Для диодов из германия и арсенида галлия IВ/IП = 10 – 20. Они и получили наибольшее распространение.

Вид характеристики диода удобно пояснить на энергетических зонных диаграммах р-п кристалла (рис. 2.9).

б) a) u=0 u0

–  –  –

При высокой концентрации примесей высота потенциального барьера 0 становится больше величины энергетического зазора кристалла g и уровень Ферми, общий для р-п структуры, располагается внутри валентной зоны в робласти и внутри зоны проводимости в п - области, так что полупроводник становится вырожденным. В отсутствие возбуждения все уровни ниже уровня Ферми являются занятыми. Имеется конечная вероятность туннелирования электронов через тонкий потенциальный барьер. При u = 0 туннельные переходы взаимно уравновешиваются и ток диода равен нулю.

При u 0 занятые уровни зоны проводимости располагаются против свободных уровней валентной зоны (рис. 2.9 б). Вероятность туннелирования из п в р – кристалл возрастает. При u 0 верхние занятые уровни валентной зоны располагаются против свободных уровней зоны проводимости. Это соответствует начальному участку характеристики туннельного диода (рис.

2.8). При u = uП туннельный ток достигает максимума и при дальнейшем увеличении напряжения уменьшается вследствие уменьшения перекрытия энергетических зон, отделенных тонкий барьером.

При u uВ вероятность туннелирования продолжает уменьшаться.

Понижение потенциального барьера вызывает увеличение диффузионного тока, т.е. механизм проводимости диода становится таким же, как и в р-п диоде с умеренной концентрацией примесей. Участок характеристики диода в области u uВ является преимущественно диффузионным, а при u uВ – туннельным.

Характерными свойствами диода на туннельной участке является малая инерционность и высокая температурная стабильность.

Туннелирование происходит со скоростью света, и скорость процессов ограничивается шунтирующими емкостями и величиной токов. Достигнуто время переключения до долей нсек. Параметры IП и uП изменяются на 10% при изменении температуры от – 50°С до 150°С. Параметры IВ, uВ, uН сильно зависят от температуры, так как определяются поведением диффузионной ветви характеристики.

Наличие отрицательного участка характеристики позволяет использовать туннельные диоды при построении усилителей и генераторов.

Наименьшее отрицательное дифференциальное сопротивление получено у диодов из JaSb. СВЧ усилители на туннельных диодах отличается малым уровнем собственных шумов.

Обращенный диод. Если уменьшить концентрацию примесей в материале, идущим на изготовление туннельных диодов, то пиковый ток уменьшится и участок с отрицательным сопротивлением практически исчезнет. В прямом направлении ток будет в основном диффузионным, а в обратном – туннельным (рис. 2.10)

–  –  –

Рис. 2.10. Вольтамперные характеристики обращенного диода Такой диод обладает хорошо выраженным нелинейным участком характеристики при малых напряжениях и дает выпрямительный эффект при включении, обратном обычному. Отсюда произошло его название обращенный диод. Сопротивление обратной ветви характеристики мало и диод обладает в этой области хорошими высокочастотными свойствами.

Такой диод в устройствах хорошо согласуется с туннельными диодами, эффективен при детектировании малых высокочастотных колебаний.

Если концентрацию примесей сделать меньше, чем в обращенном диоде, то участок характеристики с туннельным механизмом переноса носителей тока отодвинется в область отрицательных смещений. Это туннельный пробой р-п диода, обсуждавшийся ранее.

Глава 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

–  –  –

Б Б Рис. 3.1. Структура биполярного транзистора (а) и его схемное обозначение с указанием положительных направлений токов и напряжений.

Вопросы технологии и технологические разновидности транзисторов будут рассмотрена позднее в связи с анализом и уточнением свойств приборов. Характерна для транзисторов всех типов малая ширина средней, базовой, области: от единиц микрон для высокочастотных до десятков микрон для низкочастотных высоковольтных транзисторов.

На рис. 3.2 изображена одномерная транзисторная р-п-р структура (рис. 3.2 а), распределение некомпенсированного заряда примесей (рис. 3.2 б) и поле в ней. Образуются два р-п перехода с потенциальными барьерами, препятствующими движению основных носителей. Высота потенциальных барьеров определяется в отсутствие внешних напряжений концентрацией примесей [см. (2.3)]. Концентрация примесей наибольшая в эмиттере транзистора. Поэтому контактная разность потенциалов больше на эмиттерном переходе, чем на коллекторном (u0Э u0К).

а) п p p

–  –  –

При нормальном включении транзистора на эмиттерный переход подается прямое смещение uЭ 0, а на коллекторный обратное uК 0. Это понижает потенциальный барьер эмиттерного перехода, что вызывает инжекцию дырок из эмиттера в базу. Высота потенциального барьера коллекторного перехода увеличена, что вызывает расширение коллекторного запорного слоя и соответственное уменьшение ширины базы с в0 до в.

Инжектированные дырки диффундируют через базу от эмиттера к коллектору и, достигая коллектора, подхватываются полем коллекторного перехода.

Распределение неосновных носителей в р-п-р структуре изображено на рис. 3.3. Поведение концентрации в области запорных слоев не детализировано.

Рисунок 3.3 соответствует небольшому прямому смещению на эмиттерном и обратному смещению на коллекторном переходах.

–  –  –

соответствии с (3.6) iК iЭ I К 0 Ток эмиттера сильно зависит от изменений прямого смещения. Ток же коллектора почти не зависит от изменений большого обратного смещения на коллекторном переходе. Транзистор преобразует ток в малом входном сопротивлении в пропорциональный ток в большом выходном сопротивлении, что дает эффекты усиления.

3.2. Аналитический вывод вольтамперных характеристик

–  –  –

в Б 1 в T 1. (3.23) LЭ Э 2 LЭ Рассматриваемая модель учитывает основные эффекты, влияющие на параметры транзистора. Так, изменение коллекторного напряжения изменяет ширину коллекторного перехода и тем модулирует ширину базы (эффект Ирли). Увеличение коллекторного напряжения уменьшает ширину базы и увеличивает. Качественно учитывается и модуляция проводимости базы при изменении тока эмиттера. Увеличение тока эмиттера сопровождается повышением концентрации носителей тока в базе (повышенный уровень инжекции), что увеличивает проводимость базы Б и в соответсвии с (3.23) уменьшает.

В то же время есть эффекты, не учитываемые рассматриваемой моделью. Так, при уменьшении тока эмиттера выражение (3.23) не обнаруживает падение, которое обнаруживается экспериментально. Дело в том, что в модели не учтен ток, вызываемый явлениями генерации носителей в запорной слое. При малых токах эта составляющая становится ощутимой, что проявляется в уменьшении эффективности эмиттера. При i 0 0,9 меньше для кремниевых транзисторов, чем для германиевых.

В нормальных режимах = 0,9 – 0,999.

Рассмотрим коэффициент усиления по току в инверсном включении I, когда, c учетом симметрии чередования легирования в р-п-р или п-р-п структурах, коллектор используется в качестве эмиттера (для нормального включения сохраним обозначение без дополнительного индекса).

Инверсное I отличается от нормального даже для симметричной геометрии транзистора вследствие меньшей концентрации примесей в коллекторе по сравнению с эмиттером. В соответствии с (3.18) при uЭ = 0 получаем с учетом перехода от (3.20) к (3.21)

–  –  –

1 I 1 I Уравнения (3.18) и (3.26) эквивалентны для анализируемой модели и носят название уравнений Эберса – Молла. Отличие в том, что система (3.18) выражает токи через параметры полупроводникового кристалла, а система (3.26) через внешние параметры транзистора. Последнее является привлекательным обстоятельством и чаще систему выписывают в учебной и профессиональной литературе в виде (3.26).

Следует отметить, что простота и наглядность системы (3.26) вызывает желание расширить ее приложение за пределы сделанных при анализе допущений и аппроксимаций. Часто в (3.26) подставляют измеренные значения коэффициентов усиления, I, и обратных токов IК0, IЭ0. При этом получаются хорошие оценочные результаты. Однако, имеется опасность распространить решение системы на запрещенные области.

3.3. Вольтамперные характеристики.

Уравнения (3.18) удобны для построения по ним характеристик при включении транзистора с общей базой. Выполним построения, привлекая для пояснения кривые распределения концентрации неосновных носителей в транзисторной структуре.

При напряжении на коллекторном переходе uк = 0 входная характеристика транзистора подобна характеристике р-п диода

–  –  –

случая можно получить, если на рис. 3.5 граничные условия на переходах взаимно поменять.

Фигурирующий в уравнениях (3.25) и (3.26) ток коллектора IК0 при разомкнутой цепи эмиттера (iЭ = 0) соответствует распределению неосновных носителей, изображенному на рис. 3.7.

–  –  –

При разорванной цепи эмиттера на эмиттерном переходе установится такое отрицательное напряжение, при котором ток электронов к переходу будет компенсироваться током дырок от перехода, т.е. будет выполнено условие dn dp. (3.30) dx x Э dx x 0 Из условия (3.30) можно найти напряжение uЭ0 (см. рис. 3.6) и затем абсолютные значения концентраций у перехода. Концентрация электронов у перехода получается близкой к нулю и ток диффузии электронов р- эмиттера к эмиттерному переходу приближенно равен SeDn nЭ 0 LЭ (это ток неосновных носителей эмиттера при большом отрицательном смещении на переходе). Компенсирующий ток дырок от эмиттерного перехода к коллектору имеет такую же абсолютную величину. На коллекторном переходе этот ток суммируется с током неосновных носителей коллектора (электронов). Таким образом, ток IК0 приближенно равен n n I 0 SeDn Э 0 К 0. (3.31) LЭ LК Т.е. этот ток приближенно равен току базы транзистора, когда оба перехода смещены в обратном направлении. Учитывая достаточную точность приближения (3.31), можно принимать за ток IК0ток базы запертого большим смещением транзистора, как это и делается в инженерной практике.

Входная характеристика (рис. 3.6) рассмотрена детально с целью показать эффективность использования графиков распределения неосновных носителей в транзисторной структуре при анализе его работы и его характеристик.

Входная вольтамперная характеристика в масштабе больших токов изображена на рис. 3.8. Резкое видимое нарастание токов на характеристиках получается при напряжении 0,15 – 0,2 В для германиевых и около 0,6 В для кремниевых транзисторов.

Так же, как и для диодов в качестве параметра транзистора при работе в режиме малых сигналов вводится дифференциальное сопротивление эмиттера

–  –  –

Рис. 3.11. Эквивалентная схема транзистора для малых сигналов в схеме с общей базой (а), представление транзистора в виде линейного четырехполюсника (б)

–  –  –

(3.39) отображает ток диффузии база-эмиттер, а второй – ток, необходимый для пополнения рекомбинирующих с дырками электронов.

Оценим величины uБЭ0 и IК0, считая, что Т = 1 и 1.Ток базы iБ = 0, если ток электронов коллектор-база равен току электронов база-эмиттер, т.е.

–  –  –

Рис. 3.14. Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером в масштабе больших токов В отличие от характеристик при включении с общей базой (рис. 3.8) входные токи меньше при тех же напряжениях в (В + I) раз. Соответственно увеличивается и величина дифференциального сопротивления

–  –  –

В отличие от выходных характеристик включения с общей базой резкий спад тока iК получается при малом uКЭ без смены знака этого напряжения. Однако и в этом случае спад тока получается при смещении коллекторного перехода в прямом направлении uКБ = uКЭ – uБЭ 0 Наклон выходных характеристик больше, чем для схемы с общей базой, что связано с большей зависимостью базового тока от напряжения на коллекторном переходе

–  –  –

соответственно увеличивает ток эмиттера и, следовательно, коллектора.

Напряжение пробоя становится зависимым от коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером В. Отсюда можно получить соотношение

–  –  –

При тонкой базе, характерной для высокочастотных транзисторов, пробой может наступать из-за смыкания расширяющегося запорного слоя коллекторного перехода с запорным слоем эмиттера. В этом случае напряжение пробоя не зависит от схемы включения.

–  –  –

Рис. 3.17. Эквивалентная схема транзистора на высоких частотах Параметры всех элементов схемы вычисляются исходя из рассмотренной ранее физической модели транзистора и уточняются по его реальным характеристикам (диффузионные емкости транзистора вычислим позднее).

Входной малый переменный ток iЭ растекается в сопротивление rЭ, что отражает изменение тока диффузии при изменении напряжения на входе и в конденсатор СЭ, что отражает изменение заряда неосновных носителей в базе. Представим входное напряжение в виде uЭБ U ЭБ e jwt. Тогда выполняется соотношение

–  –  –

где по определению w.

rЭ CЭ В эквивалентной схеме в коллекторный контур включен генератор тока 0irЭ (0 – статический коэффициент усиления по току, вычисленный ранее [см. (3.23)]). Если за ток генератора принять полный ток эмиттера IЭ, то для получения эквивалентного результата нужно ввести зависимый от частоты коэффициент усиления по току. Из 0 I rЭ I Э с учетом (3.48)

–  –  –

Если не анализировать процессы в транзисторе, а подойти формально, то, зная или измеряя реальную частоту f, на которой усиление по току падает в 2 раз, можем использовать аппроксимацию (3.49) и эквивалентную схему рис.3.17, в которой считаем емкость СЭ равной

–  –  –

e jmw w, (3.52) 1 j w w где коэффициент m зависит от структуры транзистора и его технологии (m = 0,2 – I), 0,2 – для транзисторов с равномерно легированной базой, I – для транзисторов с неравномерным легированием, создающим электрическое поле в базе.

Емкость СЭ эквивалентной схемы отражает реальные процессы изменения заряда в базе и эмиттере при изменении напряжения на эмиттерном переходе и может быть вычислена непосредственно.

При нормальном включении транзистора, когда uЭБ 0 и uКБ 0, |uКБ| uT стационарный заряд неосновных носителей сосредоточен в базе.

Лишь небольшая часть заряда устанавливается в эмиттере (см. рис. 3.3).

Заряд в базе равен

–  –  –

виде B0B 0. B0B и 0 Произведения есть площади, ограничиваемые кривыми В() и (). Следовательно площади усиления по току для схемы включения с общей базой и для схемы включения с общим эмиттером одинаковы.

Относительная полоса пропускания коэффициента усиления по току В() меньше, чем коэффициента ().

В качестве параметра, оценивающего предельные частотные свойства транзистора часто используют частоту fT, на которой коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице: В(fT) = I. Для

–  –  –

Современные высокочастотные СВЧ и мощные транзисторы изготовляются па основе развитой диффузионной технологии. При введении донорных и акцепторных примесей в полупроводниковые кристаллы методами диффузии появляется возможность точно контролировать концентрацию примесей и их распределение по объему кристаллов. Кроме того, стало возможным создавать тонкие слои с заданным типом проводимости, в которых концентрация примесей распределена неравномерно.

Неравномерная концентрация примесей приводит к появлению внутреннего, независимого от внешних напряжений, поля, которое влияет на движение носителей тока в теле полупроводника. Так, если в п-базе p-n-р транзистора концентрация примесей спадает от эмиттерного края базы к коллекторному, то появляется поле, вызывающее дрейф дырок от эмиттера к коллектору. Механизм установления поля следующий. Положительные ионы примесей и покинувшие примесные атомы электроны имеют одинаковые концентрации. Электроны стремятся диффундировать к коллектору, эмиттерный край базы заряжается положительно, что вызывает уравновешивающий встречный дрейф электронов. Неосновные носители, в данном случае дырки, попадают в ускоряющее поле. Таким образом, дырки движутся через область базы вследствие диффузии и дрейфа.

Транзисторы с неравномерно легированной базой называют дрейфовыми.

Дрейф ускоряет прохождение носителей тока через транзистор и улучшает высокочастотные свойства прибора.

Кроме ускорения прохождения носителями тока области базы для повышения предельных частот транзистора необходимо уменьшить сопротивление базы и барьерную емкость коллекторного перехода СКБ. Это удается сделать в р-п-i-р и п-р-i-n структурах, в которых между базой и коллектором имеется слой практически с собственной (следовательно малой) проводимостью (рис. 3.18).

–  –  –

Рис. 3.18. Структура р+-п-i-р+ и распределение примесей в ней При такой структуре наличие высокоомного i-слоя, который при нормальном включении транзистора целиком включается в область коллекторного перехода, приводит к уменьшению барьерной емкости коллекторного перехода и к уменьшению напряжения пробоя со стороны коллектора (см. распределение заряда и емкость р-i-п структуры на рис. 2.6).

–  –  –

Полный ток коллектора равен uЭ uT iК I1e IК0. (3.84) Таким образом, для дрейфового транзистора справедливы обычные экспоненциальные зависимости тока от напряжения на переходе.

Найдем предельные рабочие частоты дрейфовых транзисторов на основе оценки частоты fT, на которой коэффициент усиления по току в режиме короткого замыкания схемы c общим эмиттером равен единице.

–  –  –

Рассмотрим и оценим все слагаемые 3.86).

Время установления заряда в эмиттерном переходе определяется постоянной времени ЭК = rЭ(СЭБ + СКБ + СМ), (3.87) u где rЭ T – сопротивление эмиттерного перехода и емкости, связанные с iЭ выводом базы (СМ - емкость между выводными контактами).

Время пролета через базовый слой п, уменьшается по сравнению со случаем равномерного легирования базы (3.68) в2 п, 1 2, (3.88) 1 Dp где параметр 1 определяется внутренним полем базы E 32 1 2 1 i. (3.89) E0 Здесь Ei – внутреннее поле (3.77), а Е0 = 2 uТ /в. При Ei = Е0 1= 4.

Время пролета через запорный слой коллектора, включающий i-слой, определяется дрейфовой скоростью дырок 2 К Кi, (3.90) Vd max где Vdmax = 107 см/сек – максимальная дрейфовая скорость неосновных носителей, которая достигается при поле в переходе больше 104 В/см. Такие поля обычны в коллекторном запорном слое. Так при К = I мкм, ЕК = 10 В поле Е = 10/10–6 = 107 В/м = 105 В/см.

Время задержки в коллекторе K определяется постоянной времени заряда барьерных и монтажных емкостей коллектора СК через сопротивление тела коллектора rКК ; K = СК rКК'. Эта составляющая при современной технологии может быть сделана пренебрежимо малой.

Основная составляющая задержки для транзистора с равномерным легированием базы есть время пролета n. Для дрейфового транзистора эта составляющая уменьшается из-за ускорения носителей внутренним полем [см.(3.77) и (3.88)]. При этом другие составляющие задержки (3.86) становятся сравнимыми с n. Конструкцию транзистора оптимизируют, минимизируя суммарное время задержки. В высокочастотном транзисторе нужно делать тонкую базу, тонкий i-слой и достаточно высокий уровень плотности тока. Последнее позволяет уменьшить емкости переходов и снизить постоянные времени Э и К. Следует отметить, что уменьшение iслоя и слаболегированной части коллектора, приводит к уменьшению пробивного напряжения. Следовательно, требования высокочастотности и высоковольтности противоречивы.

Технологически достигаются четкие транзисторные структуры c размером базы до 0,1 мкм. При К и диаметре эмиттера около 1 мкм получаются транзисторы, у которых частота отсечки составляет несколько (1 Ггц = 109 гц).

Ггц Основной материал мощных СВЧ приборов в настоящее время – кремний. Структуры п-р-п имеют более высокую частоту, чем р-п-р, вследствие большей подвижности электронов.

Теоретически JaAs имеет преимущества над Si. Однако технология лучше отработана для кремния. Проявляются физические ограничения арсенида галлия: низкая теплопроводность, большая плотность дефектов и центров захвата носителей, приводящая к малому времени жизни неосновных носителей. Тем не менее, этот материал перспективен.

Возможны повышение fT и работа при криогенных температурах вследствие малой энергии ионизации примесей (основные носители не вымораживаются даже при 4°К). Большая величина энергетического зазора материала (g = 1,4 эВ) приводит к повышению рабочих температур.

–  –  –

При диффузии на поверхности создается источник принеси (напыление, пары) и устанавливается определенная температура. (1000 – 1300°С). Примеси проникают в кристалл. Глубина проникновения определяется температурой и временем процесса диффузии.

На рис. 3.20в получены п-области, изолированные р+ стенками, которые получены путем диффузии бора через окна на поверхности (рис.



Pages:   || 2 |

Похожие работы:

«ООО «Уральская экологическая компания»УТВЕРЖДАЮ: Директор ООО «Уральская экологическая компания» _ Б.М. Чичков ноября 2011 г. «12» ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ По государственному контракту № 2011.18278 от 28 июля 2011 г. по теме: организация и выполнение мероприятия по организации и проведению мониторинговых исследований объектов растительного и животного мира, занесенных в Красную книгу Омской области (по объектам растительного мира: Таврический, Исилькульский, Крутинский, Азовский...»

«О секте анастасийщины. Ибо будет время, когда здравого учения принимать не будут, но по своим прихотям будут избирать себе учителей, которые льстили бы слуху; и от истины отвратят слух и обратятся к басням (2 Тим. 4, 3-4) На протяжении последних нескольких лет на российском рынке духовности появилось великое множество разнообразного товара. Формула основателя саентологии Р.Хаббарда о выгодности придумывания собственной религии продолжает подтверждаться множеством примеров. Одним из них стало...»

«ДАЙДЖЕСТ ВЕЧЕРНИХ НОВОСТЕЙ 30.04.2015 НОВОСТИ КАЗАХСТАНА Телеграмма поздравления Президента Республики Сингапур Тони Тан Кенг Яма по случаю избрания Нурсултана Назарбаева Президентом Республики Казахстан (Akorda) Телеграмма поздравления Генерального секретаря ООН Пан Ги Муна по случаю избрания Нурсултана Назарбаева Президентом Республики Казахстан (Akorda). 3 Телеграмма поздравления Президента Итальянской Республики Серджио Маттареллы в связи с избранием Нурсултана Назарбаева Президентом...»

«Адатпа Осы дипломды жобада PON технологиясы – ааш тектес рылымды оптикалы талшы бойынша ке жолаты мультисервисті кпшілік атынасты заманауи технологиялары, атынасты гигабитті жылдамдытарында пассивті оптикалы сплиттерлерді олдану бар талшыты-оптикалы байланыс желілері бойынша деректерді тарату Gigabit Passive Optical Network (GPON) жаа технологиясы арастырылан. Сондай-а, GPON технологиясы бойынша рылан Атбе аласындаы желіні шынайы блігіні оптикалы бюджеті, оптикалы кабель параметрлері жне...»

«Промежуточный отчет Республики Таджикистан о ходе реализации рекомендаций государств-членов Совета ООН по правам человека, принятых в рамках Универсального периодического обзора Республики Таджикистан 3-5 октября 2011 года Советом ООН по правам человека был рассмотрен Универсальный периодический обзор по правам человека и по результатам рассмотрения государствами членами Совета Организации Объединенных Наций по правам человека были представлены 131 рекомендаций. В целях выполнения рекомендаций...»

«Българска академия на науките Национален институт по метеорология и хидрология Бул. Цариградско шосе 66 Тел.: (+359-2) 4625000 София 1784, България Факс: (+359-2) 9884494; 9 E-mail: office@meteo.bg http://www.meteo.bg ОТЧЕТ НА Д-Т “МЕТЕОРОЛОГИЯ“ НИМХ-БАН ЗА 2012 Г. (под редакцията на проф В.Александров) СОФИЯ ДЕКЕМВРИ, 2012 Г. СЪДЪРЖАНИЕ Персонал 02 Изследователски състав 03 Публикации 04 Проекти, финансирани от Национален фонд Научни изследвания 05 Проекти, финансирани от други национални...»

«ДОКЛАД УПОЛНОМОЧЕННОГО ПО ЗАЩИТЕ ПРАВ ПРЕДПРИНИМАТЕЛЕЙ В ГОРОДЕ МОСКВЕ 2014 ГОД ЕЖЕГОДНЫЙ ДОКЛАД УПОЛНОМОЧЕННОГО ПО ЗАЩИТЕ ПРАВ ПРЕДПРИНИМАТЕЛЕЙ В ГОРОДЕ МОСКВЕ за 2014 год Во исполнение закона города Москвы от 30.10.2013 № 5 «Об Уполномоченном по защите прав предпринимателей в городе Москве». М.М.Вышегородцев Уполномоченный по защите прав предпринимателей в городе Москве 2015 год ДОКЛАД УПОЛНОМОЧЕННОГО ПО ЗАЩИТЕ ПРАВ ПРЕДПРИНИМАТЕЛЕЙ В ГОРОДЕ МОСКВЕ 2014 ГОД СОДЕРЖАНИЕ Введение Глава 1....»

«Грани Альманах к Году литературы Росчерк пера Ставрополь Сборник издан литературно-художественным клубом «Росчерк пера» по итогам конкурсов детского и юношеского творчества «Проба кисти» и «Проба пера» при поддержке ГАОУ ДОД «Центра творческого развития и гуманитарного образования для одарённых детей «Поиск» Составитель и редактор Н.А. Яковлева Дизайнер В.Г. Худякова Грани русской словесности. Выпуск 3/ под редакцией Н.А. Яковлевой.— Ставрополь: Издательство «Центр «Поиск», 2015. – 43 с....»

«Результаты осуществления закупок в 2014 году Завершился первый год размещения закупок товаров (работ, услуг) в соответствии с Федеральным законом от 05.04.2013 № 44-ФЗ «О контрактной системе в сфере закупок товаров, работ, услуг для обеспечения государственных и муниципальных нужд» (далее – Закон № 44-ФЗ). В 2014 году государственными и муниципальными заказчиками Сахалинской области осуществлено 99 816 процедур закупок, что ниже аналогичного показателя 2013 года на 34,9% (153 228 процедур)....»

«ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ДОКЛАД «О СОСТОЯНИИ САНИТАРНО-ЭПИДЕМИОЛОГИЧЕСКОГО БЛАГОПОЛУЧИЯ НАСЕЛЕНИЯ В КАРАЧАЕВО-ЧЕРКЕССКОЙ РЕСПУБЛИКЕ В 2014 ГОДУ» г. Черкесск 2015 год Содержание Введение. Раздел 1. Результаты социально-гигиенического мониторинга за отчетный год и в динамике за последние три года 1.1. Состояние среды обитания и ее влияние на здоровье населения в КарачаевоЧеркесской Республике (уровень, динамика, ранжирование) 1.1.1. Решение проблем гигиены атмосферного воздуха 1.1.2. Гигиенические...»

«СБОРНИК ЗАКОНОДАТЕЛЬНЫХ АКТОВ РЕСПУБЛИКИ АБХАЗИЯ ВЫПУСК 33 СУХУМ 200 Настоящее издание включает в себя официальные тексты законодательных и нормативных актов Республики Абхазия. Сборник подготовлен Отделом права и экономики Администрации Президента Республики Абхазия. КОНСТИТУЦИОННЫЙ ЗАКОН РЕСПУБЛИКИ АБХАЗИЯ О Государственном флаге Республики Абхазия В соответствии с Конституцией Республики Абхазия настоящим Конституционным законом устанавливаются Государственный флаг Республики Абхазия, его...»

«РЕЗЮМИРУЮЩАЯ ТИТУЛЬНАЯ СТРАНИЦА ЕЖЕГОДНОГО ДОКЛАДА ПО ПРОТОКОЛУ V КНО1 НАЗВАНИЕ ГОСУДАРСТВА [УЧАСТНИКА]: Украина ОТЧЕТНЫЙ ПЕРИОД: 1 января 2014 года 31 декабря 2014 года по (дд/мм/гггг) (дд/мм/гггг) Форма A: Шаги, предпринятые по осуществлению изменение статьи 3 Протокола: Разминирование, удаление или без изменений уничтожение взрывоопасных пережитков войны [последняя отчетность: (гггг) (март 2014 г.)] неприменимо Форма B: Шаги, предпринятые по осуществлению изменение статьи 4 Протокола:...»

«Внутренние инВестиции В финансоВые инструменты рынкоВ капитала стран еЭп аналитическое резюме УДК 339.73 ББК 65.268 Л 22 Лансков П.М. Л 22 Внутренние инвестиции в финансовые инструменты рынков капитала стран ЕЭП. / П.М. лансков, Н.В. Максимчук, Г.Г. Дуисенова – Алматы, 2015. – с. 59. ISBN 978-601-7151-48-5 Евразийский банк развития (ЕАБР) является международной финансовой организацией, учрежденной на основании межгосударственного соглашения между Российской Федерацией и Республикой Казахстан,...»

«ISBA/21/A/2 Международный орган по морскому дну Ассамблея Distr.: General 3 June 2015 Russian Original: English Двадцать первая сессия Кингстон, Ямайка 13–24 июля 2015 года Доклад Генерального секретаря Международного органа по морскому дну, предусмотренный пунктом 4 статьи 166 Конвенции Организации Объединенных Наций по морскому праву I. Введение Настоящий доклад представляется Ассамблее Органа на основании пункта 4 статьи 166 Конвенции Организации Объединенных Наций по морскому праву 1982...»

«Лекции по ДКБ Селищева А.С. www.selishchev.com Последнее обновление 03.07.2015 года ================================================================================== Приложение В к лекции №1. (Евро) Содержание: В.1.1. Евро: события 1999-2000 годов.. В.1.2. Евро: события 2001 года.. В.1.3. Евро: события 2002 года.. В.1.4. Евро: события 2003 года.. В.1.5. Евро: события 2004 года.. В.1.6. Евро: события 2005 года.. В.1.7. Евро: события 2010 года.. В.1.8. Евро: события 2011 года.. В.1.9....»

«ИНСТИТУТ ГЕОГРАФИИ ИМ. В. Б. СОЧАВЫ СО РАН ИРКУТСКОЕ ОБЛАСТНОЕ ОТДЕЛЕНИЕ РГО к 70-летию Дня Победы У Ч АС Т Н И К И В ЕЛ И КО Й ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ВОЙНЫ СОТРУДНИКИ ИНСТИТУТА гЕОгРАфИИ Автор-составитель кандидат географических наук В.М. Парфенов Ответственный редактор доктор географических наук, профессор Л.М. Корытный Иркутск Издательство Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН УДК 947.085 ББК Т3(2)722 У90 Участники Великой Отечественной войны – сотрудники Института географии / Автор-составитель...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Российский государственный геологоразведочный университет имени Серго Орджоникидзе» МГРИ-РГГРУ ОТЧЕТ О САМООБСЛЕДОВАНИИ ФГБОУ ВПО «РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ГЕОЛОГОРАЗВЕДОЧНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ СЕРГО ОРДЖОНИКИДЗЕ» МГРИ-РГГРУ за 2014 год МОСКВА 1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ОРГАНИЗАЦИИ Федеральное государственное бюджетное...»

«ISSN 1991-3494 АЗАСТАН РЕСПУБЛИКАСЫ ЛТТЫ ЫЛЫМ АКАДЕМИЯСЫНЫ ХАБАРШЫСЫ ВЕСТНИК THE BULLETIN НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН OF THE REPUBLIC OF KAZAKHSTAN 1944 ЖЫЛДАН ШЫА БАСТААН ИЗДАЕТСЯ С 1944 ГОДА PUBLISHED SINCE 1944 АЛМАТЫ ЫРКЙЕК АЛМАТЫ 2015 СЕНТЯБРЬ ALMATY SEPTEMBER Вестник Национальной академии наук Республики Казахстан Бас редактор Р А академигі М. Ж. Жрынов Р е д а к ц и я а л а с ы: биол.. докторы, проф., Р А академигі Айтхожина Н.А.;...»

«УТВЕРЖДЕН Приказом Министерства природных ресурсов Свердловской области от 31 декабря 2008 г. № 1768 ЛЕСОХОЗЯЙСТВЕННЫЙ РЕГЛАМЕНТ ВЕРХ-ИСЕТСКОГО ЛЕСНИЧЕСТВА СВЕРДЛОВСКОЙ ОБЛАСТИ С ИЗМЕНЕНИЯМИ И ДОПОЛНЕНИЯМИ УТВЕРЖДЕННЫМИ ПРИКАЗАМИ МИНИСТЕРСТВА ПРИРОДНЫХ РЕСУРСОВ СВЕРДЛОВСКОЙ ОБЛАСТИ от 10.06.2010 г. № 1281, от 13.11.2010 г. № 2463, ПРИКАЗАМИ ДЕПАРТАМЕНТА ЛЕСНОГО ХОЗЯЙСТВА СВЕРДЛОВСКОЙ ОБЛАСТИ от 28.12.2012 г. № 1706, от 30.12.2013 г. № 1900 от 28.01.2015 г. № 82, от _ 2015 г. №_ Екатеринбург...»

«YEN KTABLAR Annotasiyal biblioqrafik gstrici Buraxl 1 BAKI 2012 YEN KTABLAR Annotasiyal biblioqrafik gstrici Buraxl 1 BAKI 2012 L.Talbova, L.Barova Trtibilr: Ba redaktor : K.M.Tahirov Yeni kitablar: biblioqrafik gstrici /trtib ed. L.Talbova [v b.]; ba red. K.Tahirov; M.F.Axundov adna Azrbаycаn Milli Kitabxanas.Bak, 2012.Buraxl 1. 432 s. © M.F.Axundov ad. Milli Kitabxana, 2012 Gstrici haqqnda M.F.Axundov adna Azrbaycan Milli Kitabxanas 2006-c ildn “Yeni kitablar” adl annotasiyal biblioqrafik...»








 
2016 www.nauka.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.